光电阴极与光电倍增管课件.pptVIP

知识回顾1.光电二极管分类符号接法光敏二极管符号光敏二极管接法2.光电二极管跟普通二极管和光电池的区别

与普通二极管相比共同点：一个PN结，单向导电性不同点：（1）受光面大，PN结面积更大，PN结深度较浅（2）表面有防反射的SiO保护层2（3）外加反偏置与光电池相比共同点：均为PN结，利用光伏效应，SiO保护膜2不同点：（1）结面积比光电池的小，频率特性好;（2）光生电势与光电池相同，但电流比光电池小;（3）可在零偏压下工作，常在反偏置下工作。

3.光电三极管的电流关系及电连接方法根据共发射极电流关系有：Ib＝IpI=I=（1+β）I=（1+β）I=（1+β）E·ScebpE

4.象限探测器5.PIN光电二极管由于I层比PN结宽的多，光生电流增大;由于耗尽层变宽，结电容变小；提高响应速度；由于I层电阻率很高，故能承受的电压增大;

6.PSD位置传感器xA7雪崩光电二极管；

第3章光电阴极与光电倍增管

本章主要内容：3.1阴极与阴极电子学3.2外光电效应3.2光电阴极2.3光电管和光电倍增管

3.1阴极与阴极电子学阴极（Cathode）ll电子器件中发射电子的一极（电子源）阴极电子学研究：1）电子和离子从固体表面的发射过程2）粒子固体表面相互作用的物理过程

l从能带理论浅谈电子发射【思考】如何使体内电子逸出？

第一种方式第二种方式使体内电子逸出的方法：1）增加电子能量2）削弱阻碍电子逸出的力

阴极发射电子（第一种方式）1.增加电子能量（1）热电子发射（热阴极）阴极加热T足够高克服表面势垒而逸出部分电子获得足够能量半导体金属E=E-EΦ0F

阴极发射电子（第一种方式）1.增加电子能量（1）热电子发射（热阴极）阴极加热T足够高克服表面势垒而逸出部分电子获得足够能量（2）光电子发射（光电阴极）光辐射物体体内电子吸收光量子后逸出

阴极发射电子（第一种方式）（2）光电子发射（光电阴极）光辐射物体体内电子吸收光量子后逸出半导体光电子主要发射分三类：本征发射：价带电子?导带电子hνE-ECV杂质发射：杂质能级电子?导带电子hνΔEg自由载流子发射：自由载流子?导带电子忽略不计半导体光电子主要发射分三步：对光子的吸收电子向表面运动克服表面势垒而逸出

阴极发射电子（第一种方式）1.增加电子能量（1）热电子发射（热阴极）阴极加热T足够高克服表面势垒而逸出部分电子获得足够能量（2）光电子发射（光电阴极）光辐射物体体内电子吸收光量子后逸出（3）次级电子发射（次级电子发射体）初始能量电子轰击物体体内电子获得能量逸出

阴极发射电子（第二种方式）2.降低阻碍电子逸出的力（4）场致发射（场发射阴极）固体表面施加强电场削弱势垒通过隧道效应进入真空体内部分电子IIIIII量子隧穿示意图

阴极的应用举例CRT（CathodeRayTube）和FED（FieldEmissionDisplay）阴极射线管（CRT）

CRT（CathodeRayTube）和FED（FieldEmissionDisplay）索尼2010场致发射显示器（FED）被视为继液晶、等离子、OLED之后的第四大平板显示技术

场发射阵列制作过程MoSiO2SiMoGlass

3.2外光电效应金属或半导体受光照时，如果入射的光子能量hν足够大，它和物质中的电子相互作用，使电子从材料表面逸出的现象，也称为外光电效应。它是真空光电器件光电阴极的物理基础。

u光电发射第一定律——斯托列托夫定律当照射到光阴极上的入射光频率或频谱成分不变时，饱和光电流（即单位时间内发射的光电子数目）与入射光强度成正比：I：光电流Φ：光强keSe：该阴极对入射光线的灵敏度

u光电发射第二定律——爱因斯坦定律光电子的最大动能与入射光的频率成正比，而与入、射光强度无关：Emax=(1/2)mυ2max=hν-hν=hν-W0E：光电子的最大初动能。maxh：普朗克常数。ν0：产生光电发射的极限频率，频率阈值。W：金属电子的逸出功（从材料表面逸出时所需的最低能量），单位eV，与材料有关的常数，也称功函数。

入射光子的能量至少要等于逸出功时，才能发生光电发射。波长阈值：hνW?hc/λW?λhc/W=1.24/Aλ=1.24/W(μm)当入射光波长大于λ时，不论光强如何，以及照射时间多长，都不会有光电子产生。要用红外光（λ0.76μm）发射电子，必须寻求低于（？）的低能阈值材料。1.63eV

为什么会弯曲？Wmax0ν0ν图光电子最大动能与入射光频率的关系(1/2)mυ2=hν-hν=hν-Wmax0

3.3光电阴极什么是光电阴极？能够产生光电发射效应的物体称为光电发