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科管所專題討論(4)D302教室供應鏈整合績效之探討─以台灣半導體業為例南台科技大學科技管理研究所鄭富紘M973月31日
大綱第一章、緒論第二章、文獻探討第三章、研究方法第四章、預期成果
第一章、緒論
研究背景與動機v台灣半導體業結構以專業垂直分工的形態發展呈現垂直整合與虛擬整合兩種不同的商業模式v虛擬IDM為台灣特有的商業模式,具有因應市場的彈性、與成本控制的優勢(朱博湧等人,2005)v消費性電子品的發展,促使更多的功能整合在更小的體積中,因此將IC封裝以三維堆疊式晶片的技術也應育而生v使台灣過去在晶圓代工時代所強調的專業垂直分工的互動模式開始生變化
研究背景與動機v3D製造/封裝IC技術具有提升效能、降低成本、縮小體積與高整合度,為發展多功能、小型化品的趨勢v3DIC製程技術有別於以往的IC製程,需要業的高度整合v相較於擁有高度垂直整合的IDM公司,呈現垂直分工型態的虛擬IDM在3DIC的發展上較為不利
研究目的v探討台灣半導體業在進入3DIC的時代後,是否仍可以虛擬整合的優勢與IDM廠競爭,並比較兩種不同供應鏈整合模式下經營績效的差異a.探討供應鏈整合中垂直整合與虛擬整合之間的差異b.以資料包絡分析法(DEA)分析台灣半導體業之經營績效c.比較台灣半導體業中垂直整合與虛擬整合之間經營績效的差異
研究對象與範圍v研究範圍以台灣半導體業為主,包括IC設計、製造以及封裝測試廠v研究對象為2008半導體鑑之廠商名錄中上市上櫃之半導體廠商v根據各廠商的業務範圍,選取出屬於垂直整合類型之廠商v以各公司2004年到2008年之年報所公布的財務報表為數據資料來源v藉由資料包絡分析法(DEA)分析台灣半導體業之相對經營績效
研究流程確認研究動機與目的第一章界定研究對象與範圍相關文獻收集與探討樣本資料選取與收集投入/出項選取1.半導體業概況2.垂直整合理論3.虛擬整合理論4.DEA理論第二章第三章DEA模式選取1.效率分析2.窗口分析3.麥氏指數分析第四章第五章評估結果分析結論與建議
第二章、文獻探討
半導體業概述v半導體業的變革v半導體業結構
半導體業的變革v全球半導體業結構自1960代起經四次變革第一次業變革:電腦元件的標準化,區分出系統公司與專業整合元件製造商第二次業變革:特殊積體電(ASIC)技術出現,促使無晶圓廠設計公司與專業晶圓代工的生第三次變革:系統單晶片(SoC)與智財(SIP)的興起第四次變革:全球網的興起將半導體上、下游串聯,從基優勢走向規模效隆
半導體業的變革
半導體業結構v台灣半導體主要朝向專業分工模式發展v大致可分為IC設計、製造與封裝測試上、中、下游的垂直分工模式v在業鏈結構中,各相關廠商集中資源於業領域專業發展的經營模式設備儀器資金人力資源服務資源CADCAE設計.272光罩.3製造.14封裝.30測試.37貨運海運科學園區材料晶圓.8化學品.19導線架.4基板.15
半導體業結構v半導體設計:屬上游(前段)業主要依據本身研發能力或客委託發展出新品v半導體製造:屬中游(中段)業主要以晶圓與晶片生製造為其重心可分為晶圓代工、自有品牌、策略聯盟三種模式v半導體封裝與測試:屬下游(後段)業主要由製造或設計業中接獲訂單從事後段製造業務
3DICv三維晶片(3DIC)v3DIC與傳統IC製程的差異v3DIC與台灣半導體業
三維晶片(3DIC)v可攜式數位電子品的發展,促使更多的功能整合在更小的體積中v傳統的系統晶片(SystemonChip,SoC)與系統封裝(SysteminPackaging,SiP)為二維平面的整合,為了使摩爾定律(MooresLaw)能繼續有效,無法使其橫向面積加大v利用晶穿孔(Trough-SiliconVia,TSV)製造技術,將IC封裝以三維的方式堆疊,以減輕IC中擁擠的程度
3DIC與傳統IC製程的差異v3DIC和傳統IC製程的差異主要有四個部份:晶片薄化(Thinning)鑽孔(ViaDrilling)導電金屬填入(ViaFilling)晶片堆疊與接合(Bonding)v以製程先後順序,TSV技術又可分為先鑽孔(ViaFirst)與後鑽孔(ViaLast)
3DIC與台灣半導體業v3DIC生流程中採用ViaFirst或ViaLast對於台灣半導體業價鏈會有不同的影響vViaLast製程相對較簡單,可在專業封裝廠進行vViaFirst採用半導體前段製程,需在晶圓廠完成vViaFirst對於垂直分工的業模式影響較大v對封測業者而言,必須與晶圓代工業者合作或放棄市場v對晶圓代工業者而言,可利用自身設備及技術建立一先進封裝公司,與封裝廠合資建立先
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