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《 抛物势InGaN-GaN核壳量子点中电子的带内跃迁光吸收》范文.docxVIP

《 抛物势InGaN-GaN核壳量子点中电子的带内跃迁光吸收》范文.docx

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    《抛物势InGaN-GaN核壳量子点中电子的带内跃迁光吸收》篇一

    抛物势InGaN-GaN核壳量子点中电子的带内跃迁光吸收一、引言

    近年来，随着纳米科技的飞速发展，量子点因其独特的物理和化学性质，在光电子器件、生物标记和能源科学等领域展现出巨大的应用潜力。其中，InGaN/GaN核壳量子点因其优异的电子和光学性能，成为研究者们关注的焦点。本文将重点探讨抛物势InGaN/GaN核壳量子点中电子的带内跃迁光吸收现象，揭示其内在机制及影响因素。

    二、InGaN/GaN核壳量子点概述

    InGaN/GaN核壳量子点是一种具有核壳结构的纳米材料，其核心部分为InGaN，外壳部分为GaN。这种结构使得量子点

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