面向大规模集成电路应用的化学机械平坦化原理 .docx

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2024-10-08 发布于湖北
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面向大规模集成电路应用的化学机械平坦化原理

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面向大规模集成电路应用的化学机械平坦化原理

摘要

随着半导体行业的高速发展，集成在硅片上的器件的关键尺寸进入了纳米级别，传统的平坦化技术已经不能满足日益高涨的硅片加工需求，化学机械平坦化（CMP）应时而生，CMP是一种相较于传统的局部平坦化技术的一种全局平坦化技术，相较于局部的平坦化技术，全局平坦化技术提高了晶圆表面的平整度，能够得到更优的台阶覆盖性，在减少缺陷密度，提高成品率方面也有着极大的优势，很好的满足了现阶段的纳米级工艺需求，全局平坦化工艺自上世纪90年代产生以来，经过了几十年的发展与不断完善已经成为了现代半导体企业不