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模拟电子技术复习题+参考答案

一、单选题（共80题，每题1分，共80分）

1、差分放大电路能够有效地抑制零漂,因此具有很高的共模抑制比。()

A、错误

B、正确;

正确答案：B

2、射极输出器是典型的（）。

A、电压并联负反馈；

B、电压串联负反馈。

C、电流串联负反馈；

正确答案：B

3、集成电路内部，各级之间的耦合方式通常采用（）

A、直接耦合

B、阻容耦合

C、变压器耦合

D、光电耦合

正确答案：A

4、二极管只要发生击穿现象，一定会造成二极管的永久性损坏。（）

A、对:

B、错

正确答案：B

5、若在本征硅中掺入适量的五价杂质元素，就可生成多子为自由电子的

N型半导体。

A、正确;

B、错误

正确答案：A

6、双极三极管是一种（）

A、电流控制的电压源

B、电流控制的电流源

C、电压控制的电流源

D、电压控制的电压源

正确答案：B

7、理想集成运放的输入电阻为（）。

A、0；

B、不定。

C、∞；

正确答案：C

8、集成运算放大器的反馈深度|1+AF|=0时，运放处于（）

A、深度负反馈

B、正反馈

C、负反馈

D、自激振荡

正确答案：D

9、NPN型晶体管构成的共射极放大电路的交流输出波形出现底削波时的

失真为（）失真。

A、截止

B、频率

C、饱和

D、交越

正确答案：C

10、基本放大电路中的主要放大对象是()。

A、直流信号;

B、交流信号;

C、交直流信号均有。

正确答案：B

11、晶体三极管各种组态的放大电路，输入、输出均为反相关系。（）

A、对:

B、错

正确答案：B

12、集成运放的非线性应用存在()现象。

A、虚断;

B、虚地;

C、虚断和虚短。

正确答案：A

13、若使晶体三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（）

A、发射结反偏、集电结反偏；

B、发射结正偏、集电结反偏；

C、发射结反偏、集电结正偏。

D、发射结正偏、集电结正偏；

正确答案：B

14、微变等效电路中不但有交流量,也存在直流量。()

A、错误

B、正确;

正确答案：A

15、若分压偏置式共射放大电路的上偏流电阻RB1短路，则电路中晶体

三极管处于（）。

A、截止状态；

B、饱和状态；

C、放大状态。

正确答案：B

16、放大电路中的所有电容器，起的作用均为通交隔直。（）

A、对:

B、错

正确答案：A

17、P型半导体中的多数载流子是（）

A、负离子

B、自由电子

C、空穴

D、正离子

正确答案：C

18、基极电流iB的数值较大时，易引起静态工作点Q接近（）。

A、截止区；

B、饱和区；

C、死区。

正确答案：B

19、N型半导体中多数载流子是_____。

A、自由电子

B、空穴

C、PN结

正确答案：A

20、设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大

器。()

A、正确;

B、错误

正确答案：A

21、分压式偏置共发射极放大电路是一种能够稳定静态工作点的放大器。

（）

A、对:

B、错

正确答案：A

22、稳压二极管的正常工作状态是()。

A、任意状态

B、导通状态

C、截止状态

D、反向击穿状态

正确答案：D

23、NPN型三极管用于放大时,应使发射结、集电结处于()。

A、发射结反偏、集电结正偏

B、发射结正偏、集电结正偏

C、发射结正偏、集电结反偏

D、发射结反偏、集电结反偏

正确答案：C

24、N型半导体中的少数载流子是()

A、空穴

B、自由电子

C、正离子

D、负离子

正确答案：A

25、当信号频率等于放大电路的上限频率时,放大倍数的值约下降到中频

时的()

A、0.4

B、0.5

C、0.707

D、0.9

正确答案：C

26、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为

VE=2.1V,VB=2.8V,VC=4.4V,说明此三极管处在()。

A、放大区;

B、饱和区;

C、截止区;

D、反向击穿区。

正确答案：A

27、基本放大电路中,经过晶体管的信号有()。

A、交流成分

B、直流成分

C、交直流成分均有

正确答案：C

28、P型半导体中的多数载流子是()

A、正离