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MOTMOT1N65C/MOT1N65D

N-CHANNELMOSFET

PRODUCTCHARACTERISTICSSymbol

2.Drain

VDSS650V

RDS(on)max(@VGS=10V)12.5Ω

Qg@type6nC

1.Gate

ID1A

APPLICATIONS3.Source

*Highefficiencyswitchmodepowersupplies

*Electroniclampballastsbasedonhalfbridge

FEATURES

M

O

MT

*RDS(ON)12.5Ω@VGS=10V1

ON

T6

5

1C

N

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