常用的第三代热管理材料的导热性能分析研究 高分子材料学专业.docxVIP

第1章绪论

1.1研究背景

随着微电子技术和集成电路工艺的不断进步，微电子器件的集成度、封装密度和工作频率迅速提高，导致功率与体积的比值日益增大、电子元器件的热流密度急剧增加。目前，绝缘栅双极型晶体管（IGBT）在服役过程中所产生的热流密度已超过200W/cm2；大功率LED芯片在照明过程中的热流密度甚至高达400W/cm2；未来全数字雷达T/R组件的热流密度甚至将超过500W/cm2。这些高功率密度电子元器件的芯片主要是半导体材料，如硅、砷化镓、碳化硅和氮化镓等。最常用的硅基半导体元件的正常工作温度较低，并且半导体元件的PN结温每增加10℃，其可靠性下降60%，直接影响半导体元件的能