TCASA006-2020 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范.pdf

ICS31.080

L40/49

团体标准

T/CASA006—2020

碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用

技术规范

Thegeneralspecificationforsiliconcarbidemetal-oxide-

semiconductorfield-effect-transistor

2020-12-28发布2021-01-01实施

第三代半导体产业技术创新战略联盟发布

T/CASA006—2020

目次

前言III

引言V

1范围1

2规范性引用文件1

3术语和定义1

3.1等效电路1

3.2与额定值和特性有关的术语1

3.3常规使用术语6

4文字符号6

4.1补充的通用下标6

4.2文字符号表6

5基本额定值和特性7

5.1通则7

5.2额定值（极限值）7

5.3特性8

6测试方法11

6.1通则11

6.2额定值(极限值)试验11

6.3测量方法28

7接收和可靠性45

7.1耐久性和可靠性测试以及测试方法45

7.2型式试验和例行试验54

I

前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

本文件由第三代半导体产业技术创新战略联盟标准化委员会（CASA）制定发布，版权归CASA所

有，未经CASA许可不得随意复制；其他机构采用本文件的技术内容制定标准需经CASA允许；任何

单位或个人引用本文件的内容需指明本标准的标准号。

到本文件正式发布为止，CASA未收到任何有关本文件涉及专利的报告。CASA不负责确认本文件

的某些内容是否还存在涉及专利的可能性。

本文件起草单位：中国科学院微电子研究所、全球能源互联网研究院有限公司、中国电子科技集团

公司第五十五研究所、华大半导体有限公司、株洲中车时代电气股份有限公司、北京世纪金光半导体有

限公司。

本标文件起草人：许恒宇、李金元、刘奥、万彩萍、刘鹏飞、刘国友、孙博韬。

中国电子科技集团公司第十三研究所、东莞市中镓半导体科技有限公司、江苏捷捷微电子股份有限

公司、派恩杰半导体(杭州)有限公司、深圳市禾望电气股份有限公司和山东阅芯电子科技有限公司等单

位为本文件的撰写提供了大量的支持，在此一并表示感谢。

本文件为首次发布。

III

引