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*第二章逻辑门电路第一节概述用以实现基本逻辑运算的具体电路称为逻辑门(电路)。它是构成数字电路(系统)的最基本单元电路。在电子电路中,用高、低电平分别表示二值逻辑的“1”和“0”两种逻辑状态。获得高、低电平的基本原理如图所示。开关S可用半导体开关器件实现。按逻辑门电路的功能划分,常用的有与门、或门、非门、与非门、或非门、与或非门、异或门等几种基本门电路。按逻辑门电路的内部结构分类,有DTL、TTL、CTL、HTL、ECL、I2L、MOS、CMOS等类型。按逻辑门电路的输出方式分类,有图腾柱输出门、集电极开路输出门(OC门)、三态输出门(TS门)。第二节晶体二极管和三极管的开关特性半导体二极管具有单向导电特性,它可相当于一个受外加电压极性控制的开关。如图所示电路,当输入低电平(0V)时,二极管导通,故输出电平为低(0.7V)。当输入高电平(+VCC)时,二极管截止,输出电平为高(+VCC)。二极管的开关状态转换不可能瞬时完成,从正向导通到反向截止要经历一个恢复过程,而从反向截止到正向导通的时间很小。从三极管的输出特性可知,其工作状态有饱和、放大和截止。当输入高电平(+VCC)时,三极管工作在饱和状态(开通),输出电平为低。当输入低电平(0V)时,三极管工作在截止状态(关闭),此时输出电平为高。由以上分析可知,输入与输出相位相反,故三极管开关电路又称为反相器。第三节分立元件门电路1、二极管与门Y=AB2、二极管或门Y=A+B3、三极管非门①uA=0V时,三极管截止,iB=0,iC=0,输出电压uY=VCC=5V②uA=5V时,三极管导通。基极电流为:iB>IBS,三极管工作在饱和状态。输出电压uY=UCES=0.3V。三极管临界饱和时的基极电流为:①当uA=0V时,由于uGS=uA=0V,小于开启电压UT,所以MOS管截止。输出电压为uY=VDD=10V。②当uA=10V时,由于uGS=uA=10V,大于开启电压UT,所以MOS管导通,且工作在可变电阻区,导通电阻很小,只有几百欧姆。输出电压为uY≈0V。4、场效应管非门5、DTL与非门电路二极管与门和或门电路虽然结构简单,逻辑关系明确,但却不实用。例如在两级二极管与门电路中,会出现低电平偏离标准数值的情况。为此,常将二极管与门和或门与三极管非门组合起来组成与非门和或非门电路,以消除在串接时产生的电平偏离,并提高带负载能力。由三输入端的二极管与门和三极管非门组合而成的与非门电路。其中,作了两处必要的修正:DTL与非门电路(1)一将电阻Rb换成两个二极管D4、D5,作用是提高输入低电平的抗干扰能力,即当输入低电平有波动时,保证三极管可靠截止,以输出高电平。(2)二是增加了R1,目的是当三极管从饱和向截止转换时,给基区存储电荷提供一个泻放回路。该电路的逻辑关系为:(1)当三输入端都接高电平时(即VA=VB=VC=5V),二极管D1~D3都截止,而D4、D5和T导通。可以验证,此时三极管饱和,,即输出低电平。(2)在三输入端中只要有一个为低电平0.3V时,则阴极接低电平的二极管导通,由于二极管正向导通时的钳位作用,VP≈1V,从而使D4、D5和T都截止,VL=VCC=5V,即输出高电平。可见该电路满足与非逻辑关系,即:把一个电路中的所有元件,包括二极管、三极管、电阻及导线等都制作在一片半导体芯片上,封装在一个管壳内,就是集成电路。如上图就是早期的简单集成与非门电路,称为二极管—三极管逻辑门电路,简称DTL电路。DTL电路虽然结构简单,但因工作速度低而很少应用。由此改进而成的TTL电路,问世几十年来,经过电路结构的不断改进和集成工艺的逐步完善,至今仍广泛应用,几乎占据着数字集成电路领域的半壁江山。第四节TTL集成逻辑门电路1961年美国德克萨斯仪器公司率先将数字电路元、器件和连线作在同一硅片上,制成了集成电路(简称IC)。随着工艺的完善和发展,集成电路按集成度(单位硅片中所含元、器件数)的高低可分为:小规模集成电路(SSI)、中规模集成电路(MSI)、大规模集成电路(LSI)和超大规模集成电路(VLSI)。TTL电路是目前应用最多的双极型集成电路。主要有74(CT54)通用系列,例如:74??、74H??、74S??、74LS??等。其差别反映在传输速度和功耗等参数上。一、TTL门极其工作原理3.6V0.3V1V①输入信号不全为1:如uA=0.3V,uB=3.6V则uB1=0
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