原创力文档- 1、本文档共7页，可阅读全部内容。
- 2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
NCE30P40K
NCEP-ChannelEnhancementModePowerMOSFET
Description
TheNCE30P40Kusesadvancedtrenchtechnologyand
designtoprovideexcellentRDS(ON)withlowgatecharge.This
deviceiswellsuitedforhighcurrentloadapplications.
GeneralFeatures
●VDS-30V,ID-40ASchematicdiagram
RDS(ON)7.8mΩ@VGS-10V(Typ)
RDS(ON)11.5mΩ@VGS-4.5V(Typ)
●HighdensitycelldesignforultralowRdson
●Fullycharacterizedavalanchevoltageandcurrent
●GoodstabilityanduniformitywithhighEAS
●Excellentpackageforgoodheatdissipation
Application
●PowerswitchingapplicationMarkingandpinassignment
●Hardswitchedandhighfrequencycircuits
●Uninterruptiblepowersupply
100%UISTESTED!
100%ΔVdsTESTED!
TO-252-2Ltopview
PackageMarkingandOrderingInformation
DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity
NCE30P40KNCE30P40KTO-252-2L---
AbsoluteMaximumRatings(T25unlessotherwisenoted)
C℃
ParameterSymbolLimitUnit
Drain-SourceVoltageVDS-30V
Gate-SourceVoltageVGS±20V
DrainCurrent-ContinuousID-40A
DrainCurrent-Continuous(T100℃)
文档评论（0）