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模拟电子技术基础试题汇总附有答案--第1页
学而不思则惘，思而不学则殆
模拟电子技术基础试题汇总
一.选择题
1．当温度升高时，二极管反向饱和电流将(A)。
A增大B减小C不变D
等于零
2.某三极管各电极对地电位如图所示，由此可判断该三极管
(D)
A.处于放大区域B.处于饱和区域C.处于截止区域
D.已损坏
3.某放大电路图所示.设VVL≈0，则在静态时该三极管处
CCBE,CEO
于(B)
A.放大区B.饱和区C.截止区
D.区域不定
4.半导体二极管的重要特性之一是(B)。
(A)温度稳定性(B)单向导电性(C)放大作用(D)
滤波特性
5.在由NPN型BJT组成的单管共发射极放大电路中，如静态工作
点过高，容易产生
模拟电子技术基础试题汇总附有答案--第1页
模拟电子技术基础试题汇总附有答案--第2页
学而不思则惘，思而不学则殆
(B)失真。
(A)截止失真(B)饱和v失真(C)双向失真(D)线
性失真
6.电路如图所示，二极管导通电压U＝0.7V，关于输出电压的说
D
法正确的是(B)。
A：u=3V，u=0.3V时输出电压为3.7V。
I1I2
B：u=3V，u=0.3V时输出电压为1V。
I1I2
C：u=3V，u=3V时输出电压为5V。
I1I2
D：只有当u=0.3V，u=0.3V时输出电压为才为1V。
I1I2
7.图中所示为某基本共射放大电路的输出特性曲线，静态工作点
由Q点移动到Q点可
23
能的原因是。
A：集电极电源+V电压变高B：集电极负载电阻
CC
R变高
C
C：基极电源+V电压变高D：基极回路电阻R
BBb
变高。
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模拟
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