HYG055N02KR1D、U、V+datasheet+V1.1深圳恒锐丰科技.pdf

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HYG055N02KR1D/U/VMicroelectronics

N-ChannelEnhancementModeMOSFET

FeaturePinDescription

20V/90A

RDS(ON)=3.2mΩ(typ.)@VGS=4.5V

RDS(ON)=4.3mΩ(typ.)@VGS=2.5V

RDS(ON)=11.3mΩ(typ.)@VGS=1.9V

100%AvalancheTested

100%DVDS

ReliableandRuggedTO-252-2LTO-251-3LTO-251-3S

HalogenFreeandGreenDevicesAvailable

(RoHSCompliant)

Applications

Li-batteryprotection

MotorcontrolG

SingleN-ChannelMOSFET

OrderingandMarkingInformation

PackageCode

DD:TO-252-2LU:TO-251-3LV:TO-251-3S

HYG055N02

XYMXXXXXXDateCode

XYMXXXXXX

Note:HUAYIhalogenfreeproductscontainmoldingcompounds/dieattachmaterialsand100%mattetinplateTermi-

Nationfinish;whicharefullycompliantwithRoHS.HUAYIhalogenfreeproductsmeetorexceedthehalogenfree

require-mentsofIPC/JEDECJ-STD-020forMSLclassificationathalogenfreepeakreflowtemperature.HUAYI

defines“Green”tomeanhalogenfree(RoHScompliant)andhalogenfree(BrorCldoesnotexceed900ppmby

weightinhomogeneousmaterialandtotalofBrandCldoesnotexceed

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