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氧化铟纳米纤维场效应晶体管的制备及电学性能测试

摘要

一维半导体纳米材料因其优良的物理和化学性能备受科学界关注，该材料已经被广泛地应用于电子器件的通道材料。氧化铟（In2O3）由于其较高的载流子迁移率和出色的化学稳定性受到了研究者的青睐。铟的载流子浓度高，使其具有大的开态电流，但是过高的载流子浓度导致其关态电流也比较大，导致铟晶体管的开关电流比较低，器件性能较差。同时铟元素的稀缺性所导致的价格相对昂贵可能会是将来阻碍器件大规模应用的障碍之一。所以，在应用中需要探索廉价的高价金属离子掺杂对氧化铟纳米纤维场效应晶体管电性能的影响，期望在提高性能的同时降低材料成本。利用静电纺丝技术合成的金属