《微机原理与接口技术》第3版 课件 06 半导体存储器.pptx

微机原理与接口技术（第3版）;6.1.1存储器的分类

一个双稳态半导体电路、一个CMOS晶体管或磁性材料的存储元，均可以存储一位二进制代码。这个二进制代码位是存储器中最小的存储单位，称为一个存储位或存储元。

由若干个存储元组成一个存储单元，多个存储单元组成一个存储器。;根据存储器的存储介质的性能及使用方法的不同，可以从不同的角度对存储器进行分类。

1.按存储介质分类

存储介质是指能寄存“0”、“1”两种代码并能区别两种状态的物质或元器件。存储介质主要有半导体器件、磁性材料和光盘等。

⑴半导体存储器

优点是体积小、功耗低、存取时间短。

缺点是当切断电源时，所存信息也随即丢失，它是一种易失性存储器。

;;;3.按存取顺序分类

分为串行访问存储器和直接存取存储器。

串行访问存储器：如果对存储单元进行读/写操作时，需按其物理位置的先后顺序寻找地址，则这种存储器叫做串行访问存储器（顺序存储器）。还有部分串行访问的存储器，如磁盘。在对磁盘读/写时，首先直接指出该存储器中的某个小区域（磁道），然后再顺序寻访，直至找到位置。故其前段是直接访问，后段是串行访问。;按作用不同，存储器又可分为主存储器、辅助存储器和缓冲存储器。存储器的分类如图6.1所示。;6.1.2存储器的性能指标

1.存储器容量

指的是存储器所能容纳的最大字存储位数。由于存储容量一般都很大，因此常以KB、MB或GB为单位。计算方式：

存储器芯片容量=单元数×位数

2.存取周期

指实现一次完整的读出或写入数据的时间，是存储器连续启动两次读或写操作所允许的最短时间间隔。计算机的运行速度与存储器的存取周期有着直接的关系，因此它是存储器的一项重要参数。;3.功耗

半导体存储器属于大规模集成电路，集成度高、体积小，但是不易散热，因此在保证速度的前提下应尽量减小功耗。

4.可靠性

指存储器对电磁场、温度变化等因素造成干扰的抵抗能力（电磁兼容性），以及在高速使用时也能正确地存取（动态可靠性）。

5.集成度

指在一块数平方毫米芯片??所制作的基本存储单元数，常以“位/片”表示，也可以用“字节／片”表示。

6.其他。还应考虑输入、输出电平是否与外电路兼容，对CPU总线负载能力的要求，使用是否方便灵活以及成本价格等。;6.1.3存储器的分级结构

目前通常采用多级存储器体系结构，如图6.2所示。;6.2.1静态MOS存储器

1.基本存储元

基本存储元是组成存储器的基础和核心，它用来存储1位二进制信息。静态存储器的基本存储元电路如图6.3所示。;2.SRAM的组成

SRAM存储体是一个由64×64=4096个六管静态存储电路组成的存储矩阵，结构图如图6.4所示;3.SRAM的读/写过程

⑴读出过程

①地址码A0～A11加到RAM芯片的地址输入端，经X与Y地址译码器译码，产生行选与列选信号，选中某一存储单元，该单元中存储的代码，经一定时间，出现在I/O电路的输入端。I/O电路对读出的信号进行放大、整形，送至输出缓冲寄存器。

②在送上地址码的同时，还要送上读/写控制信号（R/或、）和片选信号（）。;⑵写入过程

①地址码加在RAM芯片的地址输入端，选中相应的存储单元，使其可以进行写操作。

②将要写入的数据放在DB上。

③加上片选信号=0及写入信号R/＝0。这两个有效控制信号打开三态门使DB上的数据进入输入电路，送到存储单元的位线上，从而写入该存储单元。;4.SRAM芯片举例

⑴Intel2114存储器芯片（1K×4位）

其内部结构如图6.6所示，芯片的引脚图如图6.7所示。;⑵Intel6264存储器芯片（8K×8位）

其内部主要包括512×128的存储器矩阵、行/列地址译码器以及数据输入/输出控制逻辑电路，工作方式如表6.1所示。

表6.16264工作方式表;;5.SRAM与CPU的连接

同CPU连接时，要完成地址线、数据线和控制线的连接。

⑴位扩展法：只加大字长，而存储器的字数与存储器芯片字数一致。假定使用8K×1的RAM存储器芯片，那么组成8K×8位的存储器可采用如图6.10所示。;⑵字扩展法：仅在字数扩充，而位数不变。将芯片的低位地址线、数据线、读/写控制线并联，由片选信号来区分各片地址，片选信号端连接到选片译码器的输出端。用16K×8位的芯片采用字扩展法组成64K×8位的存储器连接图如图6.11所示。

;地址空间分配表如表6.2所示。;⑶字