YS／T1105-2024半导体封装用键合银丝.pptxVIP

YS/T1105-2024半导体封装用键合银丝YS/T1105-2024是中国国家标准，它规定了用于半导体封装的键合银丝的规格、性能和检验方法。hdbyhd

标准介绍YS/T1105-2024本标准规定了半导体封装用键合银丝的技术要求、检验方法、试验方法和标志。适用范围适用于以金、银、铜或其合金为材料制成的，用于半导体封装的键合银丝。标准意义本标准的制定为半导体封装用键合银丝提供了统一的技术标准，有利于提高产品的质量和可靠性。

标准的制定背景1技术发展需求半导体行业高速发展，对封装用键合银丝提出了更高要求2标准缺失缺乏统一的行业标准，影响产品质量和应用推广3产业发展需求建立规范的标准体系，促进产业良性发展YS/T1105-2024标准是在国家标准化管理委员会的领导下，由中国电子学会牵头，联合行业专家共同制定的。标准制定过程中，广泛调研了国内外相关标准，并结合中国半导体封装行业的实际情况，最终形成了该标准。

标准的适用范围半导体封装本标准适用于各种半导体封装，包括集成电路、传感器、电源管理等。键合工艺标准适用于使用键合银丝进行芯片封装的工艺，例如芯片与引线框架的键合。生产企业适用于生产和使用键合银丝的企业，包括半导体制造商、封装代工厂和设备供应商。质量控制标准提供质量控制指南，帮助企业确保银丝的质量和可靠性。

标准的主要内容键合银丝性能要求YS/T1105-2024标准对键合银丝的拉伸强度、断裂伸长率、电阻率等性能指标进行了规定。尺寸和几何公差标准还规定了银丝的直径、长度、表面质量等方面的尺寸和几何公差要求。检验方法标准中包含了银丝性能测试方法，例如拉伸强度测试、电阻率测试等，以及银丝表面质量的检验方法。

材料要求11.纯度键合银丝的纯度应不低于99.9%，以保证良好的导电性和焊接性能。22.机械性能银丝应具有良好的延展性和抗拉强度，以确保在键合过程中不易断裂。33.表面质量银丝表面应光滑平整，无明显氧化层或杂质，以保证良好的焊接接触。44.其他要求银丝应符合相关标准的规定，并经过严格的质量检验。

尺寸和几何公差直径公差银丝的直径公差是指允许的直径偏差范围，它影响银丝的强度和焊接效果。公差过大，会导致银丝焊接强度不足；公差过小，则会影响银丝的生产工艺和成本。长度公差银丝的长度公差是指允许的长度偏差范围，它影响银丝的焊接精度。公差过大，会导致焊接过程中银丝出现偏差，影响焊接效果；公差过小，则会影响银丝的生产工艺和成本。

性能要求抗拉强度银丝的抗拉强度直接影响芯片的可靠性,影响芯片的封装质量.延伸率延伸率反映银丝的韧性,影响银丝的焊接性能和抗疲劳性能.电阻率电阻率影响芯片的电气性能,影响芯片的信号传输速度.表面粗糙度表面粗糙度影响银丝的焊接性能,影响芯片的封装质量.

检验方法尺寸和几何形状使用光学显微镜或投影仪测量银丝的直径，并检查表面完整性和形状。材料成分通过X射线荧光光谱分析确定银丝中银的含量，以及其他杂质元素的比例。力学性能使用拉伸试验机测量银丝的抗拉强度，伸长率和断裂伸长率，以评估其机械强度和韧性。电气性能使用四探针法测量银丝的电阻率和导电率，以评价其电气传导性能。

标准的更新情况版本更新该标准于2024年发布，是2016年版本更新后的最新版本。修订内容新版标准对材料要求、尺寸和几何公差、性能要求等进行了修订，以适应行业发展趋势和技术进步。

与相关国标的差异YS/T1105-2024针对半导体封装用键合银丝制定。侧重于键合银丝的材料、尺寸、性能和检验方法。更注重银丝在半导体封装中的应用特点包含更详细的性能要求和检验方法相关国标涵盖范围更广，包括金属材料的通用要求。通用性强，但针对性不足性能要求和检验方法相对简单

标准实施中的技术难点11.尺寸控制银丝直径需要严格控制，偏差过大影响焊接效果，精密加工是关键。22.材料均匀性银丝材料成分和结构需均匀，才能保证键合的可靠性，需严格把控材料制备过程。33.焊接工艺焊接温度和时间控制精准，影响银丝与芯片的结合强度，需优化工艺参数，提升焊接质量。44.性能测试银丝的拉伸强度、导电率等性能指标需符合标准要求，需要完善测试方法和设备。

银丝选型的影响因素芯片类型芯片类型决定了封装尺寸，影响银丝直径和长度。封装工艺不同封装工艺对银丝材质、性能要求不同。工作温度高温环境需要高熔点银丝，保证可靠性。工作环境高震动环境要求银丝具有良好的抗疲劳性能。

银丝制备工艺介绍1原材料选择银丝的制备始于原材料的选择，高纯度的银锭是首要条件。严格的纯度控制和杂质控制至关重要，以保证银丝的电气性能和可靠性。2熔炼和铸造银锭经过熔炼和铸造，形成具有特定尺寸和形状的银棒。熔炼过程中严格控制温度，确保银的纯度和均匀性。3拉拔成丝银棒经过拉拔成丝，将银棒拉制成细丝。拉拔过程需要