贯穿位错对铝镓氮-氮化镓光学及电子器件性能的影响.pdfVIP

贯穿位错对铝镓氮-氮化镓光学及电子器件性能的影

响

1（贯穿）位错及其表征

氮化镓与其它第三主族氮化物（如氮化铝和氮化铟）的多元

化合物，因理想的禁带带宽（3.4eV及宽达0.7-6.2eV的调节范

围）和良好的热稳定性，在诸如蓝光和白光（后者通过黄磷化物

掺杂或RGB三原色芯片整合实现）的LED和激光器等光子器件，

以及诸如高迁移率电子晶体管（HEMT）和金氧半场效晶体管

（MOSFET）等电子器件的应用市场潜力巨大。由于块晶氮化镓

具有极其昂贵的生产成本、极高的工艺难度和不安全性，氮化镓

通常以薄膜态在蓝宝石、碳化硅和单晶硅等异质衬底上外延生长。

这样异质生长方式的代价是生长环节中很大的晶格失配（如

Al2O3：+16%，SiC：+39%）和冷却环节中的热膨胀系数失配

（如Al2O3：-3.5%，SiC：-3.2%）。其中，前者会伴随产生大量

的位错。

失配位错和贯穿位错是伴随氮化镓薄膜外延生长所产生的

两种位错类型。当超过临界薄膜厚度时，失配位错会形核生长以

降低应变能。相比而言，贯穿位错并不能减少应力，但人们认为

正是贯穿位错主要影响了氮化镓基器件的光学（如复合效率、内

量子效率）和电学性能（如漏电流和其它可靠性问题）。

贯穿位错（threadingdislocation）是氮化镓中最具代表性的

缺陷。贯穿位错通常有三种类型，即当位向垂直于基底时，纯刃

型（a型）位错的伯格斯矢量

，纯螺型（c型）位错的b=）以及’c+a’混合型

（）。刃型位错使c面沿着轴转动，螺型位错使c面沿着垂

直于轴的方向转动。这些取向可以经X射线摇摆曲线分析证实。

如果我们考虑一个（0001）面，它具有线型朝向的刃型或螺型贯

穿位错。刃型位错具有的平面应变使其仅能扭曲h或k不为零的

（hkl）平面。

从而，对称（00l）摇摆曲线测试对纯刃型位错并不敏感，因

为刃位错并不扭曲这些平面。离轴平面的摇摆曲线测试中半峰宽

会增加，因为这些平面会被刃位错所扭曲。比如，高位错密度（～

1010cm-2）的（0002）摇摆曲线的半峰宽会大于200arcsec。相

反，的螺型位错具有纯剪应变场并扭曲所有l不为零的（hkl）面，

因而（00l）摇摆曲线仅对螺型成分的位错敏感。

这种位向信息同时可得到透射电镜的分析证实，并得到更多

关于位错密度以及位错成分相对比例的信息。通常远离表面或界

面的贯穿位错具有的线型方向，在g=1120的双束衍射中，纯刃

型（b平行于（0001））和混合型位錯可以被观测表征，而纯螺型

位错（b=）并不可见。相反，在g=0002的双束衍射情形下，所

有纯刃型位错不可见，而螺型和混合型可见。因而通过对比

g=1120和g=0002的双束衍射图象，可以得到刃型对螺型成分

的相对比例。

2（贯穿）位错对氮化镓基器件的影响

2.1氮化镓对于氮化镓高位错密度的免疫“”现象

在讨论（贯穿）位错对器件的影响前，我们应讨论氮化镓和

砷化镓相比对高位错密度相对免疫“”的现象。比如，在传统的LED

器件中，高位错通常导致发光效率的下降。因此传统的砷化镓基

LED的位错密度会低于104cm-2，但内量子效率（用于衡量复合

效率）仅在12%左右。相比，两步法横向外延过生长（two-step

lateralovergrowth）氮化镓的常见位错密度达到108cm-2，内量

子效率却可以达到～10%。

学术界对这一现象的认识和解释不一，具有代表性的两种理

论如下：其一认为如果载流子的扩散长度想比位错间的平均距离

更短的话，复合效率将独立于位错的数量。图1描述了过剩载流

子的扩散长度随不同位错密度的关系。从中可以看到，扩散长度

越短，载流子对位错密度越迟钝。譬如，当Ld约50nm