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电子与通信技术：集成电路工艺原理考试试题（题库版）

1、判断题对于大马士革工艺，重点是在于金属的刻蚀而不是介质的刻蚀。

正确答案：错

2、判断题虽然直至今日我们仍普遍采用扩散区一词，但是硅片制造中已不再

用杂质扩散来制作p（江南博哥）n结，取而代之的是离子注入。

正确答案：对

3、判断题人员持续不断地进出净化间，是净化间沾污的最大来源。

正确答案：对

4、问答题倒装焊芯片凸点的分类、结构特点及制作方法？

正确答案：蒸镀焊料凸点：蒸镀焊料凸点有两种方法，一种是C4技术，整体形

成焊料凸点；

电镀焊料凸点：电镀焊料是一个成熟的工艺。先整体形成UBM层并用作电镀的

导电层，然后再用光刻胶保护不需要电镀的地方。电镀形成了厚的凸点。

印刷焊料凸点：焊膏印刷凸点是一种广泛应用的凸点形成方法。印刷凸点是采

用模板直接将焊膏印在要形成凸点的焊盘上，然后经过回流而形成凸点钉头焊

料凸点：这是一种使用标准的球形导线键合技术在芯片上形成的凸点方法。可

用Au丝线或者Pb基的丝线。

化学凸点：化学镀凸点是一种利用强还原剂在化学镀液中将需要镀的金属离子

还原成该金属原子沉积在镀层表面形成凸点的方法。

5、问答题简要说明IC制造的平坦化工艺的作用是什么？主要有哪些方式？

并解释各种方式的详细内容。

正确答案：在多层布线立体结构中，把成膜后的凸凹不平之处进行抛光研磨，

使其局部或全局平坦化。

A.关于ECMP（电化学机械研磨方法），其工作步骤如下：首先，用电能使Cu氧

化，再用络合剂使之生成Cu的络合物，最终研磨掉Cu络合物。从对加工面进

行研磨加工的原理观察，除了Cu的氧化方法之外，ECMP和CMP是同样的，而且

加工面获得的平坦度性能也是同等水平。但是，ECMP的必要条件是底座盘应具

备导电性。

B.关于电解研磨ECP方法，利用电镀的逆反应。从电场集中之处开始进行刻

蚀，可获得平滑的研磨加工表面；但是，它能刻蚀平坦的区域只限于突起部

分。

C.关于化学蚀刻CE构成的平坦化技术，它是把Si的精细加工等领域里使用的

各向异性刻蚀用湿式刻蚀法实现的。关于湿式刻蚀法虽然对于平坦化无能为

力，但是，若把圆片一面旋转一面加工，则产生各向异性，体现出平坦化能

力。

6、问答题简述MCM的概念、分类与特性？

正确答案：概念：将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。

分类：MCM-L是采用片状多层基板的MCM、MCM-C是采用多层陶瓷基板的MCM、

MCM-D是采用薄膜技术的MCM。

特性：尺寸小、技术集成度高、数据速度和信号质量高、可靠性高、成本低、

PCB板设计简化、提高圆片利用率、降低投资风险。可大幅度提高电路连线密

度，增加封装效率；可完成轻、薄、短、小的封装设计；封装的可靠性提升。

7、名词解释溅射镀膜

正确答案：溅射镀膜是利用电场对辉光放电过程中产生出来的带电离子进行加

速，使其获得一定的动能后，轰击靶电极，将靶电极的原子溅射出来，沉积到

衬底形成薄膜的方法。

8、判断题光刻的本质是把电路结构复制到以后要进行刻蚀和离子注入的硅片

上。

正确答案：对

9、判断题有光刻胶覆盖硅片的三个生产区域分别为光刻区、刻蚀区和扩散

区。

正确答案：对

10、判断题硼是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。

正确答案：错

11、填空题单晶硅生长常用（）和（）两种生长方式，生长后的单晶硅被称

为（）。

正确答案：CZ法；区熔法；硅锭

12、判断题P是VA族元素，其掺杂形成的半导体是P型半导体。

正确答案：对

13、判断题离子注入是唯一能够精确控制掺杂的手段。

正确答案：对

14、判断题与APCVD相比，LPCVD有更低的成本、更高的产量以及更好的膜性

能，因此应用更为广泛。

正确答案：对

15、名词解释化学气相沉积

正确答案：化学气体或蒸气和晶圆表面的固体产生反应，在表面上以薄膜形式

产生固态的副产品，其它的副产品是挥发性的会从表面离开。

16、判断题外延就是在单晶衬底上淀积一层薄的单晶层，分为同质外延和异

质外延两大类。

正确答案：对

17、判断题阻挡层金属是淀积金属或金属塞，其作用是增加上下层材料的附

着。

正确答案：错

18、填空题扩散是物质的一个基本性质，分为三种形态（）扩散、（）扩散

和（）扩散。

正确答案：气相；液相；固相

19、填空题随着铜布线中大马士革工艺的引入，金属化工艺变成刻蚀（）以