光刻技术完整版.pptx

1一、光刻材料及设备二、光刻工艺三、刻蚀工艺四、光刻质量检测第5章 光刻技术

2光刻是一种将图像复印同刻蚀相结合的综合性技术。先用照像复印的方法，将光刻掩膜的图形精确的复印到涂覆在介质（多晶硅、氮化硅、二氧化硅、铝等介质薄层）表面上的光致抗蚀剂（光刻胶）上面。然后，在光致抗蚀剂的保护下对待刻材料进行选择性刻蚀，从而在待刻蚀材料上得到所需的图形。集成电路的制造过程中需要经过许多次的光刻，所以，光刻环节的质量是影响集成电路性能、成品率以及可靠性的关键因素之一。

3光刻胶光刻胶（PR）也叫光致抗蚀剂，受到光照后其特性会发生改变。可用来将掩膜版上的图形转移到基片上，也可作为后序工艺时的保护膜。光刻胶有正胶和负胶之分，正胶经过曝光后，受到光照的部分会变得容易溶解，经过显影处理之后被溶解，只留下光未照射的部分形成图形；而负胶和正胶恰恰相反。

41.光刻胶组成（1）感光剂，感光剂是光刻胶的核心部分，曝光时间、光源所发射光线的强度都根据感光剂的特性选择决定的；（2）增感剂，感光剂的感光速度都较慢，生产上效率太低，因此向光刻胶中添加了提高感光速度的增感剂；（3）聚合树脂，聚合树脂用来将其它材料聚合在一起的粘合剂，光刻胶的粘附性、胶膜厚度等都是树脂给的；（4）溶剂，感光剂和增感剂都是固态物质，为了方便均匀的涂覆，要将它们加入溶剂进行溶解，形成液态物质。

52.光刻胶的物理特性（1）分辨率，是指光刻胶可再现图形的最小尺寸；（2）对比度，是指光刻胶对光照区与非光照区间的过渡；（3）灵敏度，是光刻胶要形成良好的图形所需入射光的最低能量；（4）粘滞性，与时间有关，光刻胶中的溶剂挥发会使粘滞性增加；（5）粘附性，粘附性是指光刻胶与基片之间的粘着强度；（6）抗蚀性，化学稳定性一定要很高，能抵抗各种腐蚀。

6光刻掩膜版掩膜版质量的优劣直接影响光刻图形的质量。在IC制造中需要经过多次光刻，每次光刻都需要一块掩膜版，每块掩膜版都会影响光刻质量，光刻次数越多，成品率就越低。所以，要有高的成品率，就必须制作出品质优良的掩膜版，而且一套掩膜版中的各快掩膜版之间要能够相互精确的套准。

71.掩膜版的制备流程掩膜版有铬版(chrome)、超微粒干版、氧化铁版等，主要为基板和不透光材料。以下是基本的制造流程：（1）制备空白版，常见的空白版有铬版、氧化铁版、超微粒干版三种；（2）数据转换，将IC版图经过分层、运算、格式等步骤转换为制版设备所知的数据形式；（3）刻画，利用电子束或激光等通过原版对空白版进行曝光，将图形转移到光刻胶上，即刻画；

8（4）形成图形，对铬膜、氧化铁膜或明胶等进行刻蚀，形成图形，最后除去残胶；（5）检测与修补，测量关键尺寸，检测针孔或残余遮光膜等缺陷并对其进行修补；（6）老化与终检，在200～300℃的温度下烘烤几个小时，对其进行老化。

92.掩膜版的质量要求（1）图形尺寸要精确，间距符合要求，而且不能发生畸变；（2）各块掩膜版间要能够精确地套准，对准误差尽可能小；（3）图形边缘清晰，过渡小，无毛刺，透光区与遮光区的反差要大；（4）掩膜版的表面光洁度要达到一定的要求，无划痕、针孔、小岛等缺陷，掩膜版还要坚固耐磨、不易变形。

103.几种掩膜版常见的传统掩膜版有乳胶掩膜版、硬面铬膜掩膜版以及抗反射铬膜掩膜版三种。乳胶掩膜版是在玻璃衬底上涂覆一层光敏乳胶，再经过图形转移而成；硬面铬膜掩膜版是在石英玻璃上溅射一层厚约60nm左右的铬膜，再经过图形转移而成；

11为了提高掩膜版的分辨率、降低掩膜版对光的反射，在硬面铬膜掩膜版的铬膜上增加了一层厚约20nm的氧化铬膜，这种就是抗反射铬膜掩膜版。此外，还有将掩膜版与wafer合二为一的复合掩膜版，也叫原位掩膜版；在传统掩膜版的基础上增加了相移层的相移掩膜版；X射线掩膜版等不同类型的掩膜版。

12光刻对准曝光方式光刻对准曝光的发展经历了五个阶段，接触式曝光、接近式曝光、投影式曝光、扫描投影式曝光以及步进扫描投影曝光。接触式曝光是最早期的光刻机，结构简单，生产效率高，曝光时掩膜版和wafer上的光刻胶直接接触。接近式曝光，掩膜版与wafer之间约有2.5~25μm的距离。投影式曝光，接触式和接近式曝光由于污染、衍射、分辨率等问题都已不再使用，投影式曝光仍然广泛使用。投影式曝光又分为扫描投影曝光和步进扫描曝光。

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15步进投影曝光方式有很多优点，掩模版寿命加长、掩模制造简单、分辨率高，但对环境的要求非常高，微小的振动都会影响曝光精度；而且光路复杂，设备昂贵。

16非光学曝光1.电子束曝光由于电子束在电磁场的作用下可以