Design for Manufacturing软件：Synopsys二次开发_（8）.设计与工艺交互优化.docx

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设计与工艺交互优化

在DesignforManufacturing(DFM)软件中，设计与工艺的交互优化是确保芯片设计能够高效、可靠地制造的关键步骤。这一部分将详细探讨如何通过Synopsys工具进行设计与工艺的交互优化，包括如何识别和解决工艺变化引起的问题，以及如何利用Synopsys的二次开发功能来提升优化效果。

1.工艺变化的影响

在芯片制造过程中，工艺变化是无法避免的。这些变化可能包括光刻、刻蚀、沉积等工艺步骤中的微小偏差，这些偏差虽然很小，但在纳米尺度下可能会对芯片性能产生显著影响。工艺变化的主要类型包括：

随机变化（RandomVariation）：如原子层级的波动，这些变化在每个晶圆、每个芯片上都是不同的。

系统性变化（SystematicVariation）：如温度梯度、设备老化等，这些变化在不同晶圆、不同批次之间可能有一定的规律性。

1.1随机变化的影响

随机变化通常是由于制造过程中的微观物理现象引起的，例如原子的随机分布。这种变化可能导致：

晶体管阈值电压的变化：阈值电压的微小变化会影响晶体管的开关特性。

电阻和电容的变化：这会影响信号传输的速度和可靠性。

1.1.1识别随机变化

Synopsys提供了多种工具来识别随机变化。例如，使用PrimeTime进行时序分析时，可以通过启用统计时序分析（StatisticalTimingAnalysis,STA）来评估随机变化对时序的影响。

#启用统计时序分析

set_statistical_timing-enable

#进行时序分析

report_timing-path_full-delaymin-formatsummary

report_timing-path_full-delaymax-formatsummary

1.2系统性变化的影响

系统性变化通常是由于制造环境的不均匀性引起的，例如温度梯度、设备老化等。这种变化可能导致：

线宽的变化：线宽的变化会影响晶体管的性能和可靠性。

层间厚度的变化：这会影响多层结构的电学特性。

1.2.1识别系统性变化

Synopsys提供了多种工具来识别系统性变化。例如，使用ICCompiler进行布局布线时，可以通过启用工艺角分析（ProcessCornerAnalysis,PCA）来评估系统性变化的影响。

#设置工艺角

set_process_corner-typical

#进行布局布线

place_opt

route_opt

#报告工艺角分析结果

report_process_corner

2.优化策略

针对工艺变化的影响，设计与工艺的交互优化需要采取一系列策略来确保芯片的性能和可靠性。这些策略包括：

工艺感知设计（Process-AwareDesign）：在设计阶段考虑工艺变化的影响，进行冗余设计或优化设计。

工艺感知优化（Process-AwareOptimization）：在布局布线阶段，通过优化算法来减少工艺变化的影响。

2.1工艺感知设计

工艺感知设计的核心是在设计阶段就考虑工艺变化的影响，通过冗余设计或优化设计来提高芯片的鲁棒性。常见的工艺感知设计策略包括：

冗余设计：增加冗余路径或冗余单元，以应对随机变化。

优化设计：通过对设计参数进行优化，减少系统性变化的影响。

2.1.1冗余设计

在DesignCompiler中，可以通过增加冗余路径来提高设计的鲁棒性。

#设置冗余路径

set_redundancy_insertion-enable

#进行综合

compile_ultra

#报告冗余路径

report_redundancy_insertion

2.1.2优化设计

在DesignCompiler中，可以通过优化设计参数来减少系统性变化的影响。

#设置优化目标

set_optimization_goal-area_target1.0-timing_target1.0-power_target1.0

#进行综合

compile_ultra

#报告优化结果

report_area

report_timing

report_power

2.2工艺感知优化

工艺感知优化是在布局布线阶段通过优化算法来减少工艺变化的影响。常见的工艺感知优化策略包括：

布局优化：通过优化单元位置来减少线宽变化的影响。

布线优化：通过优化布线路径来减少层间厚度变化的影响。

2.2.1布局优化

在ICCompiler中，可以通过布局优化来减少线宽变化的影响。

#设置布局优化参数

set_place_op