薄膜沉积设备新技术考核试卷.docxVIP

薄膜沉积设备新技术考核试卷

考生姓名：________________答题日期：________________得分：_________________判卷人：_________________

一、单项选择题（本题共20小题，每小题1分，共20分，在每小题给出的四个选项中，只有一项是符合题目要求的）

1.薄膜沉积技术中，哪一种方法被称为物理气相沉积？（）

A.化学气相沉积

B.磁控溅射

C.电镀

D.溶胶-凝胶法

2.以下哪种材料常用作磁控溅射的靶材？（）

A.硅

B.铜合金

C.氧化铝

D.聚合物

3.以下哪项不是化学气相沉积（CVD）的特点？（）

A.成本较低

B.可沉积高熔点材料

C.成膜应力大

D.易于实现大面积成膜

4.在PVD技术中，以下哪种现象会导致薄膜的应力增大？（）

A.沉积速率增加

B.真空度提高

C.靶材温度降低

D.气体压力降低

5.以下哪种设备通常用于等离子体增强化学气相沉积（PECVD）？（)

A.真空蒸发镀膜机

B.磁控溅射设备

C.等离子体刻蚀机

D.激光干涉仪

6.在磁控溅射过程中，以下哪项因素不会影响溅射速率？（）

A.靶材材料

B.靶材与基片距离

C.真空室压力

D.靶材厚度

7.以下哪种材料不适合使用等离子体刻蚀技术进行加工？（）

A.硅

B.砷化镓

C.钛

D.聚合物

8.在CVD过程中，以下哪种气体通常用作反应气体？（）

A.氮气

B.氧气

C.氩气

D.氢气

9.以下哪种技术属于原子层沉积（ALD）的特点？（）

A.成膜速率快

B.可以在室温下进行

C.自限制生长

D.成膜应力大

10.下列哪种情况会导致磁控溅射镀膜均匀性变差？（）

A.靶材与基片距离过大

B.真空度提高

C.靶材旋转速度增加

D.磁场强度增大

11.在PVD技术中，以下哪种现象会导致薄膜的结构从柱状转变为非晶态？（）

A.基片温度升高

B.沉积速率增加

C.气体压力增大

D.靶材温度降低

12.以下哪种材料常用作CVD反应的催化剂？（）

A.铂

B.钛

C.硅

D.氮

13.在ALD技术中，哪一个步骤是造成自限制生长的关键？（)

A.预吸附

B.解吸附

C.沉积

D.洗脱

14.以下哪种方法可以用来减少磁控溅射薄膜中的应力？（）

A.降低靶材温度

B.增大真空室压力

C.增加沉积速率

D.使用较大的靶材

15.以下哪种设备不是薄膜沉积设备的一种？（）

A.真空蒸发镀膜机

B.等离子体刻蚀机

C.化学气相沉积炉

D.原子层沉积系统

16.在CVD过程中，以下哪种现象会导致薄膜的颗粒度增大？（）

A.基片温度升高

B.反应气体流量增加

C.沉积速率降低

D.真空度提高

17.以下哪种情况会导致ALD循环时间变长？（）

A.生长温度升高

B.前驱体和反应气体流量增大

C.前驱体和反应气体脉冲时间缩短

D.生长腔室压力降低

18.在PVD技术中，以下哪种方法可以用来提高薄膜附着力？（）

A.降低基片温度

B.增加沉积速率

C.进行离子轰击

D.提高真空度

19.以下哪种材料通常用于制造磁控溅射设备的阴极靶材？（）

A.铝

B.铜

C.钨

D.聚合物

20.在CVD过程中，以下哪种气体通常用作载气？（）

A.氮气

B.氧气

C.氩气

D.氢气

（结束）

二、多选题（本题共20小题，每小题1.5分，共30分，在每小题给出的四个选项中，至少有一项是符合题目要求的）

1.以下哪些是物理气相沉积（PVD）的方法？（）

A.真空蒸发

B.磁控溅射

C.化学气相沉积

D.离子镀

2.下列哪些因素会影响磁控溅射的沉积速率？（）

A.靶材材料

B.靶电流

C.真空室压力

D.靶材与基片距离

3.以下哪些是化学气相沉积（CVD）的缺点？（）

A.成膜应力大

B.温度要求高

C.污染问题

D.成膜速率快

4.原子层沉积（ALD）技术具备以下哪些特点？（）

A.层次分明

B.均匀性良好

C.自限制生长

D.需要高温

5.以下哪些情况可能导致薄膜的应力增加？（）

A.基片温度过高

B.沉积速率过快

C.真空室压力过高

D.靶材温度过低

6.以下哪些设备常用于薄膜沉积？（）

A.真空蒸发镀膜机

B.等离子体刻蚀机

C.化学气相沉积炉

D.原子层沉积系统

7.以下哪些因素影响薄膜的附着力和内应力？（）

A.基片温度

B.沉积速率

C.离子轰击

D.真空度

8.以下哪些材料可以用作CVD的前驱体？（）

A.硅烷

B.