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中华人民共和国工业和信息化部公告

工联电子〔2010〕137号

为贯彻落实科学发展观，促进多晶硅行业节能降耗、淘汰落后和结构调整，

引导行业健康发展，根据国家有关法律法规和产业政策，工业和信息化部、国家

发展改革委、环境保护部会同有关部门制定了《多晶硅行业准入条件》，现予以

公告。

有关部门在对多晶硅建设项目核准、备案管理、土地审批、环境影响评价、

信贷融资、生产许可、产品质量认证等工作中要以本准入条件为依据。

附件：多晶硅行业准入条件

中华人民共和国工业和信息化

部

中华人民共和国国家发展和改革

委员会

中华人民共和国环境保护部

二〇一〇年十二月三十一日

附件：

多晶硅行业准入条件

为深入贯彻落实科学发展观，规范和引导多晶硅行业健康发展，坚决抑制行

业重复建设和产能过剩，根据国家有关法律法规和产业政策，按照优化布局、调

整结构、节约能源、降低消耗、保护环境、安全生产的原则，特制订多晶硅行业

准入条件。

一、项目建设条件和生产布局

（一）多晶硅项目应当符合国家产业政策、用地政策及行业发展规划，新建

和改扩建项目投资中最低资本金比例不得低于30%。严格控制在能源短缺、电价

较高的地区新建多晶硅项目，对缺乏综合配套、安全卫生和环保不达标的多晶硅

项目不予核准或备案。

（二）在依法设立的基本农田保护区、自然保护区、风景名胜区、饮用水水

源保护区，居民集中区、疗养地、食品生产地等环境条件要求高的区域周边1000

米内或国家、地方规划的重点生态功能区的敏感区域内，不得新建多晶硅项目。

已在上述区域内投产运营的多晶硅项目要根据该区域有关规划，依法通过搬迁、

转停产等方式逐步退出。

（三）在政府投资项目核准新目录出台前，新建多晶硅项目原则上不再批准。

但对加强技术创新、促进节能环保等确有必要建设的项目，报国务院投资主管部

门组织论证和核准。

二、生产规模与技术设备

（一）太阳能级多晶硅项目每期规模大于3000吨/年，半导体级多晶硅项目

规模大于1000吨/年。

（二）多晶硅企业应积极采用符合本准入条件要求的先进工艺技术和产污强

度小、节能环保的工艺设备以及安全设施，主要工段、设备参数应能实现连续流

程在线检测。

三、资源回收利用及能耗

（一）新建多晶硅项目生产占地面积小于6公顷/千吨。现有多晶硅项目应当

厉行节约集约用地原则。

（二）太阳能级多晶硅还原电耗小于80千瓦时/千克，到2011年底前小于60

千瓦时/千克。

（三）半导体级直拉用多晶硅还原电耗小于100千瓦时/千克，半导体级区熔

用多晶硅还原电耗小于120千瓦时/千克。

（四）还原尾气中四氯化硅、氯化氢、氢气回收利用率不低于98.5%、99%、

99%。

（五）引导、支持多晶硅企业以多种方式实现多晶硅-电厂-化工联营，支持

节能环保太阳能级多晶硅技术研发，降低成本。

（六）到2011年底前，淘汰综合电耗大于200千瓦时/千克的太阳能级多晶硅

生产线。

（七）水资源实现综合回收利用，水循环利用率≥95%。

四、环境保护

（一）新建和改扩建项目应严格执行《环境影响评价法》，依法向有审批权

限的环境保护行政主管部门报批环境影响评价文件。按照环境保护“三同时”的

要求，建设项目配套环境保护设施并依法申请项目竣工环境保护验收，验收合格

后方可投入生产运行。未通过环境评价审批的项目一律不准开工建设。现有企业

应依法定期实施清洁生产审核，并通过评估验收，两次审核的时间间隔不得超过

三年。

（二）废气

尾气及NOx、HF酸雾排放部位均应当配备净化装置，采用溶液吸收法或其他

方法对其净化处理，废气排放达到《大气污染物综合排放标准》（GB16297）和污

染物排放总量控制要求。项目所在地有地方标准和要求的，应当执行地方标准和

要求。