氮化镓衬底片　.pdf

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前言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定

起草。

请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。

本文件由全国有色金属标准化技术委员会(SAC/TC243)与全国半导体设备和材料标准化技术委员

会材料分会(SAC/TC203/SC2)共同提出并归口。

本文件起草单位：东莞市中镓半导体科技有限公司、北京大学东莞光电研究院、苏州纳维科技有限

公司、南京大学、镓特半导体科技（铜陵）有限公司、有色金属技术经济研究院有限责任公司。

本文件主要起草人：颜建锋、陈润、王帅、殷淑仪、刘南柳、丁晓民、王建峰、修向前、罗晓菊、

徐科、张国义、李素青。

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氮化镓衬底片

1范围

本文件规定了氮化镓衬底片的分类和牌号、技术要求、试验方法、检验规则、标志、包装、运输、

贮存、随行文件和订货单内容。

本文件适用于半导体光电器件与电子器件用氮化镓衬底片的研发生产、测试检验等相关领域。

2规范性引用文件

下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件，

仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本

文件。

GB/T1555半导体单晶晶向测定方法

GB/T4326非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法

GB/T6624硅抛光片表面质量目测检验方法

GB/T14140硅片直径测量方法

GB/T14264半导体材料术语

GB/T30867碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法

GB/T31352蓝宝石衬底片翘曲度测试方法

GB/T31353蓝宝石衬底片弯曲度测试方法

GB/T32188氮化镓单晶衬底片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法

GB/T32189氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法

GB/T32282氮化镓单晶位错密度的测量阴极荧光显微镜法

GB/T36705氮化镓衬底片载流子浓度的测试拉曼光谱法

GB/T37031半导体照明术语

3术语和定义

GB/T14264、GB/T37031界定的以及下列术语和定义适用于本文件。

3.1

氮化镓复合衬底GaNcompositesubstrate

由氮化镓单晶薄膜材料与其支撑基底构成的复合结构，用于外延沉积、扩散、离子注入等后续工艺

操作的氮化镓基片。

[来源：GB/T37031—2018，2.2.2.8]

3.2

氮化镓自支撑衬底free-standingGaNsubstrate

半导体工艺中的基底，具有特定晶面和相应电学、光学和机械特性，用于外延沉积、扩散、离子注

入等后续工艺操作的氮化镓基片。

[来源：GB/T37031—2018，2.2.2.9]

3.3

半绝缘型衬底semi-insulatingsubstrate

通过本征控制或掺杂工艺使半导体材料的费米能级固定在能带中央，电阻率大于10Ω.cm的衬底片。6

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4分类和牌号

4.1分类

4.1.1产品按结构分为：

a)氮化镓自支撑衬底片；

b)氮化镓复合衬底片。

4.1.2产品按功能层的导电类型分为：

a)电子型衬底片（n）；

b)空穴型衬底片（p）；

c)半绝缘型衬底片（SI）。