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ZM451.03.SM

单晶炉技术说明书

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1．用途：

本设备为软轴提拉型单晶炉，是在惰性气体（氩气）环境中，用石墨电阻加热器将硅半导体

材料溶化，用直拉法生长单晶的设备。9001型炉采用18热场，投料量60Kg，可拉制6或8的

单晶。（1201型炉，采用18”或20”热场，投料量最大120Kg,,可拉制6~10的单晶。）

2．设备的工作原理概述：

本设备采用软籽晶轴提升机构，显著降低了单晶炉的高度，因而在一般厂房中即可安装使用，

便于装配维修和拉晶操作，同时实现了籽晶轴转速稳定的效果。

本设备在性能和控制上都进行了改进。在机械结构方面采用了先进的磁流体密封技术、拱形

封头式炉盖结构以及合理的主、副室提升机构。单晶的提升采用的是可承受190Kg的不锈钢丝绳。

炉室结构为顶开式，主炉室和副炉室开启时由螺母丝杠装置实现上移。上升到位后对称旋出，

便于机动取出晶体，拆除热场系统和清理炉内各部。

主炉室和副炉室之间，设有翻板阀，可在维持主炉室工艺条件不变的情况下取出晶体，更换籽

晶。

3.主要技术数据：9001型1201型

3.1.电源3相380V±10%,50HZ3相380V±10%,50HZ

3.2.变压器容量：200KVA230KVA

3.3.加热器最大加热功率：150KVA150KVA

3.4.加热器最高加热电压：65V65V

3.5.最高加热温度：1500℃1500℃

3.6.冷炉极限真空度：3Pa3Pa

3.7.晶体直径：φ6/φ8φ6～φ10

3.8.熔料量：90Kg120Kg

3.9.主炉室尺寸：φ850×1220mmφ900×1200mm

3.10.旋阀通径：φ260mmφ300mm

3.11.副炉室尺寸：φ260×2270mmφ300×2300mm

3.12.籽晶拉速范围：0～8mm/min0～8mm/min

3.13.籽晶快速：≥400mm/min≥400mm/min

3.14.籽晶转速范围：0～48R/min0～48R/min

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校对

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3.15.坩埚升速范围：0～2mm/min0～2mm/min

3.16.坩埚快速：≥10