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摘要
摘要
GaN是一种直接带隙半导体，相较于常规半导体，有着更宽的带隙、更高的
电子迁移率和更高的发光效率，在高频电子器件中以及高效光电子器件等方面的
应用潜力巨大。当GaN单晶的厚度减4N维，就会出现诸多新奇特性，如带
隙蓝移、晶格常数增大、强电子一空穴相互作用等，二维GaN的带隙更宽，甚至
可达到5eV以上。这些特性也使得相比于块体GaN，用二维GaN制备的电子器
件的漏电流更低、开关速度更快；在柔性可穿戴设备中也有着更广泛的应用，弥
补块体GaN
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