TCASAS001-2018 碳化硅肖特基 势垒二极管 通用技术规范.pdfVIP

CASA

第三代半导体产业技术创新战略联盟标准

T/CASA001-2018

碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范

GeneralSpecificationforSiliconCarbideSchottkyBarrierDiodes

版本：V01.00

2018-09-21发布

第三代半导体产业技术创新战略联盟发布

T/CASA001-2018

目录

前言I

1范围1

2规范性引用文件1

3术语和定义1

3.1一般术语1

3.2额定值和特性的术语：电压2

3.3额定值和特性的术语：电流3

3.4额定值和特性的术语：耗散功率5

3.5额定值和特性的术语:其他特性6

4文字符号9

4.1概述9

4.2补充的通用下标9

4.2.1电流、电压和功率9

4.2.2电参数9

4.3文字符号表9

4.3.1电压（参见图4、图5）9

4.3.2电流（参见图6)10

4.3.3功率11

4.3.4开关12

5基本额定值和特性12

5.1概述12

5.1.1额定方法12

5.1.2推荐温度12

5.2额定条件12

5.2.1环境额定的碳化硅肖特基势垒二极管12

5.2.2管壳额定的碳化硅肖特基势垒二极管13

5.2.3环境温度或热沉温度或壳温或结温（T或T或T或T）13

ascvj

5.3电压和电流的额定值（极限值）13

5.3.1反向不重复峰值电压（V)13

RSM

5.3.2反向重复峰值电压（V）13

RRM

5.3.3反向工作峰值电压（V）13

RWM

5.3.4反向直流电压（V）（适用时）13