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项目六变频器的分析与使用;【学习目标】;【项目引入】;任务6.1认识绝缘栅双极晶体管(IGBT);6.1.2了解IGBT基本特性及主要参数
l.IGBT的基本特性
1)静态特性
与功率MOSFET相似,IGBT的转移特性和输出特性分别描述器件的控制能力和工作状态。图6-3(a)为IGBT的转移特性,是指集电极电流IC与栅射电压UGE之间的关系,与功率MOSFET的转移特性相似。;2)动态特性。
图6-4给出了IGBT开关过程的波形图。IGBT在开通过程中的大部分时间是作为MOSFET管来运行的,因此其开通过程与功率MOSFET相似。只是在集射电压下降过程后期,PNP晶体管由放大区至饱和区,又增加了一段延缓时间,使集射电压波形变为两段,tfv1段和tfv2段。;2.主要参数
(1)最大集射极间电压UCES:是指栅射极短路时最大的集射极直流电压,它是由器件内部的PNP晶体管所能承受的击穿电压所确定的。
(2)集电极额定电流ICN:是指在额定的测试温度条件下,元件所允许的集电极最大直流电流。
(3)集电极脉冲峰值电流ICP:指在一定脉冲宽度时(常指lms脉冲),IGBT的集电极所允许的最大脉冲峰值电流。
(4)最大集电极功耗PCN:指在额定的测试温度条件下,元件允许的最大耗散功率。
;1.3了解IGBT的驱动电路
l.对驱动电路的要求
(1)IGBT是电压驱动的,故驱动电路必须很可靠,保证有一条低阻抗值的放电回路,即驱动电路与IGBT的连线要尽量短。
(2)要用内阻小的驱动源对栅极电容充放电,以保证栅极控制电压UGE的前后沿足够陡峭,减少IGBT的开关损耗。
(3)要提供大小适当的正反向驱动电压UGE。
(4)要提供合适的开关时间。
(5)要有较强的抗干扰能力及对IGBT的保护功能。
(6)驱动电路与信号控制电路在电位上应严格隔离。
;2.分立组件组成的驱动电路
因为IGBT的输入特性几乎与MOSFET相同,所以用于MOSFET的驱动电路同样可以用于IGBT。;3.集成化驱动电路
很多生产IGBT器件的公司,为了解决IGBT驱动的可靠性问题,纷纷推出IGBT专用驱动电路,如美国MOTOROLA公司的MPD系列、日本东芝公司的KT系列、日本富士公司的EXB系列等。
1)EXB841驱动器
;6.1.4了解IGBT的保护电路;2.过电流保护
过电流保护措施主要通过检出??电流信号后迅速切断栅极控制信号的办法来实现。
1)集电极电压识别过电流保护
图6-13为采用集电极电压识别方法的电路。
2)发射极电流检测过流的保护电路
图6-12为检测发射极电流过流的保护电路。;任务6.2认识变频电路;6.2.2了解交-直-交变频电路;?;将180°导电型逆变器输出电压规律进行总结,归纳如下:
1)每个脉冲触发间隔60°区间内有3个晶闸管导通,它们分别属于逆变桥的共阴极组和共阳极组。
2)在3个导通元件中,若属于同一组的有2个元件,则元件所对应相的相电压大小为1/3Ud,另1个元件所对应相的相电压大小为2/3Ud。
3)共阳极组元件所对应相的相电压为正,共阴极组元件所对应相的相电压为负。
4)每个脉冲触发间隔60°内的相电压之和为0。
;3.特点
电压型变频因中间直流电路采用大电容滤波,直流电压脉动很小,近似为电压源,具有低阻抗特性。由于直流环节并联有大电容,直流电源极性无法改变,如果由它供电的电动机工作在再生制动状态下,要改变电流的方向,把电能反馈到电网,就需要再加一套反并联的整流器,这就大大增加了电路的复杂性,实用性不强,所以这种变频适应于不需经常起动、制动和反转的场合。
;2交-直-交电流型变频器
电压型变频器,由于再生制动时须再接附加电路,电路比较复杂,而电流型变频器弥补了它的不足,而且主电路结构简单、安全可靠。
1.电路结构
;?;120°导电型逆变器导通规律总结如下:
1)每个脉冲触发间隔60°有两个晶闸管导通,它们分别属于逆变桥的共阴极组和共阳极组。
2)在两个导通元件中,每个元件所对应相的相电流大小为Id,不导通元件所对应相的电流大小为0。
3)共阳极组中元件所通过的相电流为正,共阴极组元件所通过的相电流为负。
4)每个脉冲触发间隔60°内的相电流之和为0。
;6.2.3了解交-交变频电路;输出电压uo由若干段电源电压拼接而成,在uo的一个周期内,包含的电源电压段数越多,其波形就越接近正弦波。;2.3.2三相输出交-交变频器
1.三相输出交-交变频器主电路
交交变频电路主要应用于大功率交流电机调速系统,使用的是三相交交变频电路。三相输出交-交变频器由三套输出电压彼此相差120°电角度的单相输出交-交变频器组成。;4.交-交变频的特点
交-交变频器属于直接变换,没
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