氧化锌薄膜 _原创精品文档.pdfVIP

ZnO是一种直接带隙宽禁带半导体材料,具有六角纤锌矿型晶体结构,室温下晶格常数

a=0·32496nm,c=o·52065nm·禁带宽度约3.37eV,激子结合能达60mev。ZnO薄膜具有

优异的晶格、光学、电学特性,目前在表面声波元件、太阳能电池、平板显示器件、压敏和

气敏传感器等领域得到了较为广泛的应用。

晶体中,单个晶格排列形成的缺陷称为点缺陷。ZnO中共存在6种点缺陷：1锌空位

Vzn;2氧空位Vo,3锌填隙Zn,4氧填隙O5、反位锌Zno6反位氧Ozn。其中,空位和填

隙缺陷对晶体性质影响较大。

Zno薄膜室温时典型的PL谱如图3所示。除了3.30eV(400nm)附近的本征UV峰外,

在2.29eV(540nm)附近往往都会出现一个对应于绿光波段的展宽峰,并向两边延伸至黄光和

蓝光波段。

研究认为,Zn(〕的本征点缺陷与薄膜蓝绿发光机制有着紧密的联系。对于具体的影响机制,

有人认为绿光可能来自导带底到反位氧缺陷能级之间的跃迁,但随着研究的不断深入,人们普

遍认为绿光与氧空位有关

绿光与反位氧Ozn的关系

徐彭寿等对FP一LMTO法计算的本征缺陷能级(图l)分析后,认