堆叠晶体管中的RF传感器 .pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN110120802A

(43)申请公布日2019.08.13

(21)申请号CN201910108952.8

(22)申请日2019.02.03

(71)申请人英飞凌科技股份有限公司

地址德国诺伊比贝尔格

(72)发明人B·施莱西尔W·巴卡尔斯基R·鲍德V·索罗姆克

(74)专利代理机构北京市金杜律师事务所

代理人郑立柱

(51)Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

堆叠晶体管中的RF传感器

(57)摘要

本公开涉及堆叠晶体管中的RF传

感器。例如，一种RF开关包括：串联耦

合的RF开关单元，耦合在RF输入和地之

间；晶体管，包括耦合至第一负载电阻器

的第一电流节点、耦合至地的第二电流节

点和耦合至内部开关节点的控制节点；以

及滤波器，具有耦合至第一晶体管的第一

电流节点的输入以及用于提供与内部开关

节点处存在的RF功率相对应的DC电压的

输出。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

2023-05-05授权发明专利权授予

权利要求说明书

1.一种RF开关,包括:

多个串联耦合的RF开关单元,耦合在RF输入和地之间;

第一晶体管,包括耦合至第一负载电阻器的第一电流节点、耦合至地的第二电流节

点以及耦合至第一内部开关节点的控制节点,所述第一内部开关节点与所述多个串

联耦合的RF开关单元中的一个RF开关单元相关联;以及

第一滤波器,具有耦合至所述第一晶体管的第一电流节点的输入以及被配置用于提

供与所述第一内部开关节点处存在的RF功率相对应的DC电压的输出。

2.根据权利要求1所述的RF开关,还包括:

第二晶体管,包括耦合至第二负载电阻器的第一电流节点、耦合至地的第二电流节

点和耦合至第二内部开关节点的控制节点;

第二滤波器,具有耦合至所述第二晶体管的第一电流节点的输入以及被配置用于提

供与所述第二内部开关节点处存在的RF功率相对应的DC电压的输出。

3.根据权利要求1所述的RF开关,其中每个RF开关单元均包括晶体管。

4.根据权利要求3所述的RF开关,其中每个RF开关单元还包括跨所述晶体管的第

一电阻器。

5.根据权利要求3所述的RF开关,其中每个RF开关单元还包括耦合在输入信号源

与所述晶体管的控制节点之间的第二电阻器。

6.根据权利要求1所述的RF开关,还包括:

参考分支;以及

运算放大器,具有耦合至所述第一滤波器的输出的第一输入、耦合至所述参考分支

的第二输入以及被配置用于提供与所述第一内部开关节点处存在的RF功率相对应

的放大DC电压的输出。

7.根据权利要求6所述的RF开关,其中所述参考分支包括:

晶体管,具有耦合至负载电阻器的第一电流节点、耦合至地的第二电流节点和通过

输入电阻器耦合至地的控制节点;以及

滤波器,具有耦合至所述参考晶体管的第一电流节点的输入以及耦合至所述运算放

大器的第二输入的输出。

8.一种RF开关,包括:

多个串联耦合的RF开关单元,耦合在RF输入和地之间;

多个分压器,每个分压器均耦合至所述RF开关单元中的对应一个RF开关单元;以及

多个电压检测器,每个电压检测器均具有耦合至所述分压器中的对应一个分压器的

抽头的输入以及用于提供DC电压的输出,多个所述DC电压被配置为提供所述RF

开关的线性指示。

9.根据权利要求8所述的RF开关,其中每个RF开关单元均包括晶体管。

10.根据权利要求9所述的RF开关,其中每个RF开关单元还包括跨所述晶体管的第

一电阻器。

11.根据权利要求9所述的RF开关,其中每个RF开