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微机电系统技术以及纳米技术在生物传感器上的应用,使生物传感器不断向微型化、集成化、自动化和智能化方向发展。例如,在酶传感器中,尖端直径达1μm以下的微酶电极已在实验室中应用。3)物理微传感器物理传感器是指将被测对象的各种物理特性变化转换为电信号输出的装置。物理传感器种类繁多,如声学量传感器、电学量传感器、磁学量传感器、光学量传感器、力学量传感器和射线传感器等。利用微机电技术制成的各种物理传感器即是物理微传感器。12.3.2典型微型传感器介绍1.离子传感器(化学型)离子传感器是将溶液中的离子活度转换为电信号的传感器。其基本原理是利用固定在敏感膜上的离子识别材料有选择性地结合被传感的离子,从而发生膜电位或膜电压的改变,达到检测目的。离子传感器广泛用在化学、医药、食品以及生物工程等领域中。传统方法采用离子选择电极(ISE)进行测量。离子选择电极是一种膜电极,多为玻璃电极,输出阻抗很高,约108Ω,需要高输入阻抗的离子计与之匹配,在使用中很不方便。目前,通过半导体平面工艺技术制成了离子敏场效应晶体管(ISFET);通过微机电系统技术的综合应用,制成了尖端达微米级的离子选择性微电极以及被测样品用量仅需微升级的离子微传感器。1)ISFET的工作原理ISFET用对离子有选择性响应的敏感膜替换普通的MOSFET的金属铝栅,当敏感膜直接接触被测离子溶液时,与离子相互作用,调制场效应晶体管的漏极电流和源极电流,以检测溶液中离子的活度。(1)ISFET的结构。ISFET的基本结构如图12-4所示,没有金属栅极,栅介质裸露或在其上涂敷对离子敏感的敏感膜,与参比电极以及待测溶液一起起着栅电极的作用。图12-4ISFET的结构示意图参比电极上所加的电压(包括溶液与敏感膜之间的能斯特电位)通过待测溶液加到绝缘栅上,使半导体表面反型,形成导电沟道。如果参比电极上施加的电压正好使半导体表面反型,这时参比电极上的电压称为阈值电压。对于特定结构的ISFET,阈值电压的变化只由电解液与栅介质界面处的化学势决定,而化学势的大小取决于敏感膜的性质和电解液中的离子活度。因此,通过ISFET阈值电压的变化能够测量电解液中离子的活度。(2)ISFET性能参数。ISFET的性能参数主要有灵敏度、选择系数及响应时间。①灵敏度:待测离子活度增大为原来的10倍时,其界面电位的改变量称为ISFET的灵敏度,用S表示。②选择系数:选择系数指在相同的条件下,引起相同界面电位的待测离子活度和干扰离子活度之比,用Kij表示。在待测溶液中,通常有好几种离子,除待测离子外,其它离子称为干扰离子。Kij愈小,说明ISFET的选择性愈好,对待测离子的灵敏度愈高。③响应时间:响应时间可分为电学响应时间和化学响应时间。在一定的离子活度下,固定UDS,从ISFET与待测溶液接触进行测量开始到IDS达到稳定值的95%所需的时间称为电学响应时间。在一定的偏置电压下,改变待测离子的活度,IDS达到稳定值的95%所需的时间称为化学响应时间。ISFET的响应时间一般在1min之内,性能好的在20s左右。ISFET的响应速度比传统的玻璃电极快数倍。影响响应时间的因素有温度、光照及搅拌等。2)离子敏感膜离子敏感膜是ISFET的重要部分,是响应不同离子并将其化学量转换为电学量的关键。不同的栅介质和敏感膜可以派生出多种ISFET。(1)无机绝缘膜。无机绝缘材料如SiO2、SiN4、Al2O3和Ta2O5等在ISFET中可以起到栅介质和离子敏感膜的双重作用。(2)固态敏感膜。将作为敏感材料的单晶体、多晶体固定在MOSFET栅上,或将某种难溶电解质盐分散在经适当稀释的氯仿硅橡胶基体(或聚氟化偶磷氮的合成橡胶基体)中,通过蒸镀、化学气相淀积或溅射等方式固定到ISFET的栅绝缘层表面,就制成了对特定离子响应的固态膜ISFET。(3)有机高分子PVC膜。有机高分子PVC膜易于制作,且可以开发出多种ISFET。制作时,首先将离子活性物质、增塑剂分散到聚氯乙烯(PVC)基质中,与一定量的四氢呋喃或环已酮溶剂均匀混合而制成透明溶液,然后滴加到栅极上,室温防尘放置24h以上。待溶剂挥发后,就在绝缘栅上形成一层有弹性的PVC膜。2.基因传感器(生物型)基因传感器通过固定在感受器表面上的已知核苷酸序列的单链脱氧核糖核酸(DeoxyriboNucleicAcid,DNA)分子(也称为ssDNA探针),和另一条互补的ssDNA分子(也称为目标DNA或靶DNA)杂交,形成双链DNA(dsDNA),换能器将杂交过程中
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