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士兰微电子SGT160V65S1PW说明书
160A、650V绝缘栅双极型晶体管
描述C
2
SGT160V65S1PW绝缘栅双极型晶体管采用士兰微电子第五代场截
1
止（FieldStop5）工艺制作，具有较低的导通损耗和开关损耗，该产品可G
应用于车驱，UPS，SMPS等领域。
3
特点E
160A，650V，V典型值=1.42V@I=160A
CE(sat)()C
低导通损耗
快开关速度
1
高输入阻抗23
TO-247P-3L
TJmax=175C
命名规则
SGT160V65S1PW
士兰IGBT系列封装形式,如
PW:TO-247P-3L
电流规格160A
N:N沟平面栅1,2,3:版本号
NE:N沟平面栅带ESD
空:标准二极管（Standard）
T:FieldStop3和4
M:标准二极管、全电流规格（StandardFull）
U:FieldStop4+
V:FieldStop5R:快速二极管（Rapid）
W:FieldStop5+B:快速二极管、全电流规格（RapidFull）
X:FieldStop6S:超软二极管、全电流规格（SoftFull）
Y:FieldStop7
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