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士兰微电子SVS80R800FJH(D)(F)E3说明书
7A,800V超结MOS功率管
描述2
SVS80R800FJH(D)(F)E3N沟道增强型高压功率MOSFET采
用士兰微电子超结MOS技术制造，具有很低的传导损耗和开关损耗，
1
使得功率转换器具有高效，高功率密度，提高热行为。
此外，SVS80R800FJH(D)(F)E3应用广泛。如，适用于硬/软开关3
拓扑。
1.栅极2.漏极3.源极
特点
7A，800V，RDS(on)(typ.)=0.65@VGS=10V
1
2
创新高压技术3
TO-220F-3L
低栅极电荷
较强的雪崩能力
较强的dv/dt能力1
13
较高的峰值电流能力23
TO-220FJH-3LTO-252-2L
100%雪崩测试
无铅管脚镀层
符合RoHS环保标准
关键特性参数
参数参数值单位
VDS800V
VGS(th)2.5~4.5V
R0.8
DS(on)，max.
ID.pulse28A
Qg.typ.18nC
产品规格分类
产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式
SVS80R800FJHE3TO-220FJH-3L8080FJHE3无卤料管
SVS80R800DE3TRTO-252-2L80R80DE3无卤编带
SVS80R800FE3TO-220F-3L80R800FE3无卤料管
杭州士兰微电子股份有限公司
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