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半导体器件的太赫兹技术考核试卷

考生姓名：__________答题日期：__________得分：__________判卷人：__________

一、单项选择题（本题共20小题，每小题1分，共20分，在每小题给出的四个选项中，只

有一项是符合题目要求的）

1.太赫兹波属于哪一类电磁波谱段？（）

A.红外线

B.微波

C.毫米波

D.紫外线

2.以下哪种半导体材料在太赫兹技术中应用最广泛？（）

A.硅

B.砷化镓

C.硒化锌

D.硫化镉

3.太赫兹波在半导体器件中的传输特性主要受到以下哪个因素的影响？（）

A.载流子浓度

B.介电常数

C.禁带宽度

D.电子迁移率

4.下列哪种太赫兹源适用于半导体器件的检测？（）

A.光学激光器

B.微波源

C.阴极射线管

D.光电导天线

5.半导体器件太赫兹时域光谱技术中，以下哪个参数用于描述载流子寿命？（）

A.谱强度

B.谱宽度

C.谱相位

D.谱幅度

6.太赫兹波在半导体材料中的传播速度主要取决于以下哪个因素？（）

A.介电常数

B.磁导率

C.折射率

D.传播损耗

7.以下哪个选项不属于太赫兹技术在半导体器件中的应用？（）

A.材料检测

B.载流子动力学研究

C.器件性能评估

D.光刻技术

8.在太赫兹时域光谱技术中，以下哪个参数与载流子浓度相关？（)

A.信号幅度

B.信号相位

C.信号频率

D.信号衰减

9.下列哪种探测器适用于太赫兹波的检测？（）

A.硅光电二极管

B.硫化铅探测器

C.硅控整流器

D.钽酸锂探测器

10.太赫兹技术在半导体器件中主要用于以下哪个方面的研究？（）

A.器件结构分析

B.载流子输运特性

C.器件可靠性

D.器件封装

11.以下哪个因素会影响太赫兹波在半导体材料中的吸收系数？（）

A.载流子浓度

B.温度

C.光照强度

D.禁带宽度

12.太赫兹时域光谱技术中，以下哪个参数与材料的光学常数有关？（）

A.谱强度

B.谱宽度

C.谱相位

D.谱面积

13.关于太赫兹波在半导体材料中的传播，以下哪个描述是正确的？（）

A.传播速度随频率增加而增加

B.传播损耗随温度升高而降低

C.传播损耗与载流子浓度成正比

D.传播速度与介电常数成反比

14.以下哪种太赫兹波产生方式适用于半导体器件的检测？（）

A.光学超快激光泵浦

B.射频脉冲源

C.微波放大器

D.光电导天线

15.在太赫兹时域光谱技术中，以下哪个参数与材料电导率有关？（）

A.谱强度

B.谱宽度

C.谱相位

D.谱衰减

16.以下哪个因素会影响太赫兹波在半导体器件中的反射系数？（）

A.器件表面粗糙度

B.器件厚度

C.载流子浓度

D.所有上述因素

17.太赫兹技术在半导体材料表征中的应用不包括以下哪一项？（）

A.硅的掺杂浓度测量

B.砷化镓的载流子寿命评估

C.硒化锌的带隙宽度测量

D.硫化镉的磁导率测量

18.以下哪个选项是太赫兹时域光谱技术的优点？（）

A.对样品的非接触式测量

B.高时间分辨率

C.高空间分辨率

D.所有上述选项

19.以下哪种方法可用于增强太赫兹波在半导体材料中的激发效率？（）

A.提高泵浦光功率

B.减小样品厚度

C.增加载流子浓度

D.所有上述方法

20.关于太赫兹技术在半导体器件中的应用，以下哪个描述是正确的？（）

A.仅适用于高频器件的检测

B.仅适用于低频器件的检测

C.适用于各种频率范围的器件检测

D.适用于光电器件的检测，但不适用于微电子器件

二、多选题（本题共20小题，每小题1.5分，共30分，在每小题给出的四个选项中，至少

有一项是符合题目要求的）

1.太赫兹波在半导体材料中的传播特性包括以下哪些？（）

A.指数衰减

B.波速变化

C.散射效应

D.透射增强

2.以下哪些材料可以用作太赫兹波探测器的敏感材料？（）

A.硅

B.砷化镓

C.钽酸锂

D.硫化镉

3.太赫兹时域光谱技术可以用于以下哪些方面的研究？（）

A.材料的介电常数

B.材料的磁导率

C.载流子的动力学

D.器件的电学特性

4.以下哪些因素会影响太赫兹波的发射和检测效率？（）

A.温度

B.激光功率

C.样品厚度