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摘要
氧化锌作为第三代半导体材料，以具有高激子束缚能（60meV）、低生长温度和
低成本等优势而备受研究人员的青睐，是一种理想的紫外光电材料，尤其是深紫外发
光和激光二极管在光化学领域和国防军事领域具有广阔的发展空间。利用能带工程理
论，通过掺入其它离子（Al、Mg、Cd、Ga等）得到的ZnO体系，可以使得ZnO在
诸如紫外探测器、光发射器件、太阳能电池等方面具有更为广泛的应用。制备MgZnO
体系发光器件，可以实现波长连续可调的深紫外发射。然而，稳定的、可重复的p型
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