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MMIC

是单片微波集成电路的缩写，是在半绝缘半导体衬底上用一系列的半导体工艺方

法制造出无源和有源元器件，并连接起来构成应用于微波（甚至毫米波）频段的

功能电路。

单片微波集成电路，即MMIC是MonolithicMicrowaveIntegratedCircuit

的缩写，它包括多种功能电路，如低噪声放大器（LNA）、功率放大器、混

频器、上变频器、检波器、调制器、压控振荡器（VCO）、移相器、开关、

MMIC收发前端，甚至整个发射/接收（T/R）组件（收发系统）。由于MMIC

的衬底材料（如GaAs、InP）的电子迁移率较高、禁带宽度宽、工作温度

范围大、微波传输性能好，所以MMIC具有电路损耗小、噪声低、频带宽、

动态范围大、功率大、附加效率高、抗电磁辐射能力强等特点。

国外概况

自1974年，美国的Plessey公司用GaAsFET作为有源器件，GaAs半绝

缘衬底作为载体，研制成功世界上第一块MMIC放大器以来，在军事应用

（包括智能武器、雷达、通信和电子战等方面）的推动下，MMIC的发展十

分迅速。80年代，随着分子束外延、金属有机物化学汽相淀积技术（MOCVD）

和深亚微米加工技术的发展和进步，MMIC发展迅速。1980年由

Thomson-CSF和Fujitsu两公司实验室研制出高电子迁移率晶体管

（HEMT），在材料结构上得到了不断的突破和创新。1985年Maselink用

性能更好的InGaAs沟道制成的赝配HEMT（PHEMT），使HEMT向更调

频率更低噪声方向发展。继HEMT之后，1984年用GaAlAs/GaAs异质结

取代硅双极晶体管中的P-N结，研制成功了频率特性和速度特性更优异的

异质结双极晶体管（HBT）和HBTMMIC。由于InP材料具有高饱和电子

迁移率、高击穿电场、良好的热导率、InP基的晶格匹配HEMT，其性能比

GaAs基更为优越，近年来随着InP单晶的制备取得进展，InP基的HEMT、

PHEMT、MMIC性能也得到很大的提高。微波单片集成电路具有电路损

耗小、噪声低、频带宽、动态范围大、功率大、附加效率高等一系列优点，

并可缩小的电子设备体积、重量减轻、价格也降低不少，这对军用电子装

备和民用电子产品都十分重要。美国、日本、西欧都把MMIC作为国家发

展战略的核心，竞相投入大量的人力、物力，展开激烈的竞争。80年代

中期以前的MMIC，频率一般在40GHz以下，器件是采用栅长为0.5mm左

右的GaAs金属半导体场效应晶体管（MESFET）。后来在低噪声MMIC领

域的先进水平都被HEMT、PHEMT和近年来飞速发展的InPHEMT所取代，

InP基HEMT的最佳性能是fT为340GHz，fmax为600GHz。目前，低噪

声MMIC放大器的典型水平为29～34GHz下，2级LNA噪声为1.7dB，增

益为17dB；92～96GHz，3级LNA噪声为3.3dB，增益为20dB；153～

155GHz，3级低LNA增益为12dB。美国TRW公司已研制成功MMIC

功率放大器芯片，Ka波段输出功率为3.5W，相关功率增益11.5dB，功率

附加效率为20%，60GHz的MMIC输出功率为300mW，效率22%，94GHz

采用0.1mmAlGaAs/InGaAs/GaAsT