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士兰微电子SVF7N65CF/D/MJ/MJL/K/T说明书

7A、650VN沟道增强型场效应管

描述2

SVF7N65CF/D/MJ/MJL/K/TN沟道增强型高压功率MOS场效应晶1

2

3

体管采用士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的1TO-262-3L

工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很

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高的雪崩击穿耐量。1.栅极2.漏极3.源极23

TO-251J-3L

该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压

H桥PWM马达驱动。

1

13

2

特点3TO-220-3LTO-252-2L

7A，650V，RDS(on)(典型值)=1.1@VGS=10V

低栅极电荷量1

2

低反向传输电容3TO-220F-3LTO-251JL-3L

开关速度快

提升了dv/dt能力

产品规格分类

产品名称封装形式打印名称环保等级包装方式

SVF7N65CFTO-220F-3LSVF7N65CF无卤料管

SVF7N65CDTRTO-252-2LSVF7N65C无卤编带

SVF7N65CMJTO-251J-3LSVF7N65C无卤料管

SVF7N65CMJLTO-251JL-3L