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AGM1075MN
●GeneralDescription
ctSummy
Produar
TheAGM1075MNcombinesadvancedtrenchMOSFET
technologywithalowresistancepackagetoprovide
extremelylowRDS(ON).
BVDSDI
ThisdeviceisidealforloadswitchandbatterySRSOND
protectionapplications.
100V62mΩ10A
●Features
■AdvancehighcelldensityTrenchtechnology
SOP8PinConfiguration
■LowRDS(ON)tominimizeconductiveloss
■LowGateChargeforfastswitching
■LowThermalresistance
■%
100Avalanchetested
■100%DVDStested
●Application
■MB/VGAVcore
nd
■SMPS2SynchronousRectifier
■POLapplication
■BLDCMotordriver
aranderingInformation
gMkingdOr
Pke
aca
DeviceMarkingDeviceDevicePackageReelSizeTapewidthQuantity
AGM1075MNAGM1075MNSOP8330mm12mm3000
Table1.AbsoluteMaximumRatings(TA=25)
℃
SymbolParameterValueUnit
VDSDrain-SourceVoltage(VGS=0V）100V
VGSGate-SourceVoltage(VDS=0V)±20V
IDDrainCurrent-Con
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