一种锗单晶片位错腐蚀检测方法.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN101655427A

(43)申请公布日2010.02.24

(21)申请号CN200910170163.3

(22)申请日2009.09.04

(71)申请人中国电子科技集团公司第四十六研究所

地址300220天津市河西区洞庭路26号

(72)发明人佟丽英赵权史继祥王聪李亚光

(74)专利代理机构信息产业部电子专利中心

代理人梁军

(51)Int.CI

G01N1/32

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种锗单晶片位错腐蚀检测方法

(57)摘要

本发明公开了一种锗单晶片位错腐

蚀检测方法，包括以下步骤：将经过抛光

的锗单晶片放入由氢氟酸、硝酸和硝酸铜

水溶液混合的位错腐蚀液中进行腐蚀，腐

蚀结束后，检测其位错密度。本发明对锗

单晶片进行位错检测，可以直接对单晶的

切割片、研磨片及抛光片进行检测，无需

将单晶晶向切割成偏100晶向6°以内的

晶片进行检测，减少了单晶的损失，缩短

了工序流程。采用本方法对锗单晶片进行

位错检测，可以对锗单晶片任何一个工序

内的产品进行位错检测，避免了只能在单

晶检验时采取特殊方式切割才能进行位错

检测的情况，可以保证锗单晶片位错检测

能够随时进行，有利于实施质量控制。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1、一种锗单晶片位错腐蚀检测方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

将经过抛光的锗单晶片放入由氢氟酸、硝酸和硝酸铜水溶液混合的位错腐蚀液中进

行腐蚀，腐蚀结束后，检测其位错密度。

2、如权利要求1所述的锗单晶片位错腐蚀检测方法，其特征在于，所述锗单晶片

放入所述位错腐蚀液之前，进行化学抛光处理。

3、如权利要求2所述的锗单晶片位错腐蚀检测方法，其特征在于，所述化学抛光

处理包括以下步骤：

将氢氟酸和硝酸按照体积比为1∶3～4的比例配制成化学抛光液；

将所述化学抛光液倒入装有所述锗单晶片的容器中，同时不断晃动，所述锗单晶片

在所述抛光液中水平放置，且晶片正面朝上；

锗单晶片表面化学抛光结束后，将所述化学抛光液倒出，用去离子水中将所述锗单

晶片冲洗干净后，将其浸泡在去离子水中。

4、如权利要求3所述的锗单晶片位错腐蚀检测方法，其特征在于，所述氢氟酸的

浓度为40％，所述硝酸的浓度为65％～68％。

5、如权利要求2所述的锗单晶片位错腐蚀检测方法，其特征在于，所述化学抛光

处理中腐蚀的去除量为15～40μm。

6、如权利要求1所述的锗单晶片位错腐蚀检测方法，其特征在于，所述氢氟酸、

硝酸铜水溶液和硝酸按照体积比为2∶1∶0.2～0.4的比例配制成位错腐蚀液。

7、如权利要求6所述的锗单晶片位错腐蚀检测方法，其特征在于，所述硝酸铜水

溶液浓度为10％，所述氢氟酸的浓度为40％，所述硝酸的浓度为65％～68％。

8、如权利要求7所述的锗单晶片位错腐蚀检测方法，其特征在于，所述位错腐蚀

液对所述锗单晶片腐蚀时间为2～6min。

9、如权利要求8所述的锗单晶片位错腐蚀检测方法，其特征在于，腐蚀时间到后，

将所述锗单晶片取出，放入去离子水中冲洗干净后，将其甩干或烘干。

10、如权利要求1～9任一项所述的锗单晶片位错腐蚀检测方法，其特征在于，所

述锗单晶抛光片厚度不小于150μm。

说明书

技术领域

本发明涉及缺陷腐蚀检测技术领域，特别是涉及一种锗单晶片位错腐蚀检测方法。

背景技术

锗太阳能电池广泛应用于人造卫星、宇宙飞船、空间站等航天领域，与传统的硅太

阳能电池相比，在锗单晶衬底上外延GaAs/InGaP等制成的单结以及多结化合物太

阳能电池具有转换效率高、耐高温、抗辐射、可靠性强等优势，因此得到了越来越

广泛地