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摘要
第四代半导体氧化镓(GaO)具备禁带宽度大(4.5eV~5.0eV)、稳定性好、耐辐照、
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成本低等优点，在深紫外(DUV)光电探测器、超高压电力电子器件和环境监测等领域
有巨大的应用价值。非晶氧化镓(a-GaO)相比国内外研究者主要关注的多晶、单晶氧
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化镓(β-GaO)具有低成本、低温大面积制备
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