石墨烯纳米带及其制备方法.pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN104250004A

(43)申请公布日2014.12.31

(21)申请号CN201410388684.7

(22)申请日2014.08.09

(71)申请人南京新月材料科技有限公司;盐城增材科技有限公司;鑫月华科技(杭州)有限公

司

地址210038江苏省南京市栖霞区新港开发区恒达路3号紫金科创高通特别社区

(72)发明人闵永刚范天举宋建军刘屹东

(74)专利代理机构

代理人

(51)Int.CI

C01B31/04

B82Y30/00

B82Y40/00

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

石墨烯纳米带及其制备方法

(57)摘要

本发明属于石墨烯材料技术领域，

具体涉及一种石墨烯纳米带及其制备方

法。石墨烯纳米带的导电率为

112S/cm~500S/cm，比表面积为312m

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种石墨烯纳米带,石墨烯纳米带的导电率112S/cm~500S/cm,比表面积312m

2

/g~700m

2

/g,密度0.4g/cm

-3

~1.2g/cm

-3

,比电容范围为120F/g~200F/g。

2.根据权利要求1所述的石墨烯纳米带,其特征在于:所述的石墨烯纳米带长度为

200nm~50μm。

3.根据权利要求1所述的石墨烯纳米带,其特征在于:所述的石墨烯纳米带成扭曲状

螺旋结构。

4.根据权利要求1所述的石墨烯纳米带,其特征在于:所述的石墨烯纳米带的结构维

度处于一维结构的碳纳米管和二维结构的石墨烯之间。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的石墨烯纳米带的制备方法,包括下列步骤:

配制一定浓度的氧化石墨烯溶液,之后将该溶液迅速冷冻固化,再就其进行冷冻干燥

处理,直接到氧化石墨烯纳米带,最后将氧化石墨烯纳米带经还原处理得到石墨烯纳

米带。

6.根据权利要求5所述的石墨烯纳米带制备方法,其特征在于:所述的氧化石墨烯溶

液浓度为0.1mg/ml~14.8mg/ml。

7.根据权利要求5所述的石墨烯纳米带制备方法,其特征在于:所述的氧化石墨烯溶

液的溶剂为水溶液或有机溶剂。

8.根据权利要求7所述的石墨烯纳米带制备方法,其特征在于:所述的有机溶剂为甲

酰胺、已腈、甲基腈、甲醇、乙醇、丙醇、丙酮、二氧六环、四氢呋喃、正丁醇、

乙酸乙酯、乙醚、异丙醚、氯仿、四氯化碳、二硫化碳、己烷、氮氮二甲基酰胺中

的任意一种。

9.根据权利要求5所述的石墨烯纳米带制备方法,其特征在于:所述的迅速冷冻的环

境为液氮、干冰、干冰/丙酮、正辛烷/干冰/异丙醚/干冰、丙酮/干冰、乙酸丁酯/干

冰、丙胺/干冰、乙酸乙酯/液氮、正丁醇/液氮、己烷/液氮、丙酮/液氮、甲苯/液氮、

甲醇/液氮、乙醚/干冰、环己烷/液氮、乙醇/液氮、乙醚/液氮、正五烷/液氮、异戊

烷/液氮中的任意一种。

10.根据权利要求5所述的石墨烯纳米带制备方法,其特征在于:所述的迅速冷冻固化

的时间为60s~300s,冷冻干燥的时间为12h~48h。

说明书

p技术领域

本发明涉及石墨烯材料制备技术领域,具体涉及一种导电率高、比表面积大、低密

度的石墨烯纳米带及其制备方法。

背景技术

石墨烯是由单层碳原子组成的二维晶体,具有超高比表面积、优良的导电、导热性

能以及超高的机械强度等优异的性能,因此使其在很多领域有良好的应用前景,例如:

场效应晶体管、高频器件、超级微处理器和单分子探测器、可控透气膜、各向异性

离子传导体、超级电容器等领域。然而石墨烯应用的一大阻碍问题就是石墨烯宏观

结构的组装,目前在石墨烯薄膜以及块体组装方面有较多成功案例,但目