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氧化扩散工艺培训
扩散部张辉然
培训内容
n一扩散部设备简介(
n二化学清洗简介(
n三氧化工艺介绍(
n四扩散工艺介绍(
n五化学气相淀积(LPCVD)
n六C-V测试简洁(C-
一扩散部设备简表
分类设备内容
氧化PAD氧化、场氧化、栅氧化、POST氧化
扩散推阱、退火、合金
按工艺分类清洗氧化前清洗、漂洗
LPCVDLP-POLY、LP-TEOS、LP-SiN
34
M1M3M4GSD1GSD2
注入、、、、
ABCDFGHI832
卧式炉、、、、、、、组共根
立式炉VTR-OX、VTR-POLY、VTR-TEOS共三根
按设备分类FSI-1FSI-2FSI-3FSI-4DNS1DNS26
清洗机、、、、、等共台
M1、M3、M4,
注入机
GSD1、GSD2、GSD3
二化学清洗(
•2.1化学清洗的重要性
半导体对杂质极为敏感,百万分之一甚至十
亿分之一的微量杂质,就对半导体的物理性质产
生影响,微量的有害杂质可由各种随机的原因进
入器件,从而破坏半导体器件的正常性能
为了清除随机污染,建立了特殊的半导体工
艺--清洗工艺。
2.2污染质的来源
玷污可能来源影响
氧化层低击穿,成品率降低,尘埃还会吸附
设备,环境,气体,去离子水,
颗粒Na+等有害物质,影响氧化膜和光刻质量及扩
化学试剂
散参数,造成表面漏电和产品失效
设备,化学试剂,反应离子刻低击穿场强,Pn结漏电,少子寿命降低,Vt
金属离子
蚀,离子注入、人偏移
室内气氛,光刻胶,存储容器化
有机物氧化速率改变
学试剂
微粗糙度初始硅片材料,化学试剂氧化层低击穿场强,载流子迁移率下降
栅氧化层退化,外延层质量变差接触电阻增
自然氧化层环境湿气,去离子水冲洗
大,硅化物质量差.
2.3清洗的基本原理
硅片表面被吸附的杂质粒子在其平衡位置附近不停地
振动着。其中有些杂质粒子由于获得较大的动能而脱离硅
片表面,重新回到周围的介质(例如:空气)中去,称为
“解吸”。同时,介质中的另一些离子又会在硅片表面上重
新被吸附。一般来说,吸附和解
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