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氧化扩散工艺培训-串讲(简).pdfVIP

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氧化扩散工艺培训

扩散部张辉然

培训内容

n一扩散部设备简介(

n二化学清洗简介(

n三氧化工艺介绍(

n四扩散工艺介绍(

n五化学气相淀积(LPCVD)

n六C-V测试简洁(C-

一扩散部设备简表

分类设备内容

氧化PAD氧化、场氧化、栅氧化、POST氧化

扩散推阱、退火、合金

按工艺分类清洗氧化前清洗、漂洗

LPCVDLP-POLY、LP-TEOS、LP-SiN

34

M1M3M4GSD1GSD2

注入、、、、

ABCDFGHI832

卧式炉、、、、、、、组共根

立式炉VTR-OX、VTR-POLY、VTR-TEOS共三根

按设备分类FSI-1FSI-2FSI-3FSI-4DNS1DNS26

清洗机、、、、、等共台

M1、M3、M4,

注入机

GSD1、GSD2、GSD3

二化学清洗(

•2.1化学清洗的重要性

半导体对杂质极为敏感,百万分之一甚至十

亿分之一的微量杂质,就对半导体的物理性质产

生影响,微量的有害杂质可由各种随机的原因进

入器件,从而破坏半导体器件的正常性能

为了清除随机污染,建立了特殊的半导体工

艺--清洗工艺。

2.2污染质的来源

玷污可能来源影响

氧化层低击穿,成品率降低,尘埃还会吸附

设备,环境,气体,去离子水,

颗粒Na+等有害物质,影响氧化膜和光刻质量及扩

化学试剂

散参数,造成表面漏电和产品失效

设备,化学试剂,反应离子刻低击穿场强,Pn结漏电,少子寿命降低,Vt

金属离子

蚀,离子注入、人偏移

室内气氛,光刻胶,存储容器化

有机物氧化速率改变

学试剂

微粗糙度初始硅片材料,化学试剂氧化层低击穿场强,载流子迁移率下降

栅氧化层退化,外延层质量变差接触电阻增

自然氧化层环境湿气,去离子水冲洗

大,硅化物质量差.

2.3清洗的基本原理

硅片表面被吸附的杂质粒子在其平衡位置附近不停地

振动着。其中有些杂质粒子由于获得较大的动能而脱离硅

片表面,重新回到周围的介质(例如:空气)中去,称为

“解吸”。同时,介质中的另一些离子又会在硅片表面上重

新被吸附。一般来说,吸附和解

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