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全球市场研究报告
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铁电随机存储器,全球市场概况
铁电随机存储器是一种兼具非易失性和高速写入特性的存储器。它继承了非易失性存储器的断电后数据不丢失的特性,同时具备了易失性存储器的高速写入和高重写耐久性的优点。
铁电随机存储器采用铁电材料作为存储元件,特别是PZT(锆钛酸铅)晶体。PZT晶体在施加电压后,其内部的Zr和Ti原子会发生位移,产生极化现象。这种极化状态在停止施加电压后仍能保持不变,因此可以用来表示二进制数据中的“0”和“1”。这种特性使得铁电随机存储器具有非易失性,即数据在断电后不会丢失。
铁电随机存储器的存储单元结构主要有两种类型:2T2C型和1T1C型。2T2C型由两个晶体管和两个铁电体电容器组成,通过比较实际存储单元和参考单元的位线电压来判断数据。这种结构的数据稳定性较高,因此被广泛应用于对可靠性要求较高的领域,如汽车电子等。而1T1C型则通过将一个真实单元的位线电压与另一单独电路产生的参考电压进行比较来判断数据,其单个存储单元的面积仅为2T2C型的一半,因此更适合用于大容量产品。
铁电随机存储器具有多项显著的技术特点。首先,它具备高重写耐久性,这意味着它可以承受大量的读写操作而不会损坏。其次,铁电随机存储器具有高速写入特性,这使得它在需要快速数据访问的应用中表现出色。此外,铁电随机存储器还具有低功耗和可耐受高温(如125℃)的特性,进一步拓宽了其应用范围。
根据QYResearch最新调研报告显示,2023年全球铁电随机存储器市场销售额达到了9.72亿美元,预计2030年将达到15.77亿美元,年复合增长率(CAGR)为7.50%(2024-2030)。地区层面来看,中国市场在过去几年变化较快,2023年市场规模为1.77亿美元,约占全球的18.21%,预计2030年将达到3.2亿美元,届时全球占比将达到20.33%。
铁电随机存储器,全球市场总体规模
来源:QYResearch半导体研究中心
根据QYResearch头部企业研究中心调研,全球范围内铁电随机存储器生产商主要包括RAMXEED(原富士通)、英飞凌(Cypress)、德州仪器、罗姆(Lapis)、舜铭存储等。2023年,全球前五大厂商占有大约98.0%的市场份额。
全球铁电随机存储器市场前5强生产商排名及市场占有率(基于2023年调研数据;目前最新数据以本公司最新调研数据为准)
来源:QYResearch半导体研究中心。行业处于不断变动之中,最新数据请联系QYResearch咨询。
就产品类型而言,目前4K-512K是最主要的细分产品,占据大约59.7%的份额。
铁电随机存储器,全球市场规模,按应用细分,汽车电子及充电桩是最大的下游市场,占有26.3%份额。
来源:QYResearch半导体研究中心
就产品应用而言,目前汽车电子及充电桩是最主要的需求来源,占据大约26.3%的份额。
主要驱动因素:
性能优势:FRAM存储器兼具非易失性存储器的特性以及易失性存储器的优点,这使其在市场中独树一帜。FRAM存储器不仅能够在断电后保持数据不丢失,还具备高重写耐久性和高速写入的能力。这些特性使得FRAM存储器在需要频繁读写操作、低功耗以及高可靠性的应用场景中表现出色。例如,在智能电网领域,FRAM存储器被广泛应用于汽车充电桩等关键设备中,其稳定的性能和可靠的数据存储能力得到了市场的广泛认可。
应用广泛:FRAM存储器展现出了强大的市场潜力。从汽车电子到工厂自动化,从医疗应用到游戏娱乐,再到云计算和楼宇自动化,FRAM存储器的身影无处不在。特别是在汽车电子领域,随着新能源汽车的快速发展,FRAM存储器在新能源汽管理系统、TBOX、行车记录仪等设备中的应用越来越广泛。同时,随着物联网、人工智能等新兴技术的兴起,FRAM存储器在智能家居、可穿戴设备等新兴领域中的应用也逐渐增多。这些领域的快速发展为FRAM存储器提供了广阔的市场空间和发展机遇。
技术创新:随着技术的不断进步,FRAM存储器的性能将得到进一步提升,同时其成本也将逐渐降低。制造商正在通过研发先进的制造工艺和采用新型材料,不断提升FRAM存储器的存储密度和容量,以满足市场对高容量存储器的需求。此外,随着技术的创新,FRAM存储器还将不断拓展新的应用领域,如5G通讯、智能卡等,这些新兴领域将为FRAM存储器带来新的市场增长点。
主要市场发展风险因素:
环保风险:目前主流的铁电材料,如锆钛酸铅(PZT)和钽酸锶铋(SBT),在环保方面存在显著问题。这些材料在使用过程中可能出现疲劳退化现象,影响存储器的性能和寿命。更为严重的是,这些材料在生产、使用和废弃过程中可能对环境造成污染,如重金属污染和有毒物质排放等。随着全球对
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