一种倒装发光二极管芯片的制作方法 .pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN109326686A

(43)申请公布日2019.02.12

(21)申请号CN201811059192.8

(22)申请日2018.09.12

(71)申请人聚灿光电科技(宿迁)有限公司

地址223800江苏省宿迁市宿迁经济技术开发区发展大道西侧(商务中心2005室)

(72)发明人韩涛徐瑾白城镇

(74)专利代理机构

代理人

(51)Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种倒装发光二极管芯片的制作方

法

(57)摘要

本发明提供了一种倒装发光二极管

芯片的制作方法，包括如下几个步骤：1）

使用MOCVD生长外延层，从下至上依次

是PSS衬底、u‑GaN、N‑GaN、MQW、

P‑EBL、P‑GaN；2）将外延层清洗干净

之后进行ICP刻蚀，刻蚀出N区；3）在

P‑GaN上生长电流阻挡层和透明导电薄

膜；4）沉积一次电极；5）生长钝化层，

沉积温度200℃~250℃；6）沉积一次DBR

薄膜，薄膜由高、低折射率的材料交错堆

叠；7）刻蚀DBR，将一次电极露出，然

后在DBR上面沉积部分金属电极与一次电

极相连；8）生长二次钝化层；9）在二次

钝化层上生长第二次DBR，第二次DBR

要求与第一次DBR不同的膜系；10）将二

次DBR也刻到金属层，用金属层与三次电

极相连；本发明利用DBR膜系之间的布儒

斯特角的不同，极大的提高光的取出效

率。

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种倒装发光二极管芯片的制作方法,其特征在于,包括如下几个步骤:

1)使用MOCVD生长外延层,从下至上依次是PSS衬底、u-GaN、N-GaN、MQW、

P-EBL、P-GaN;

2)将外延层清洗干净之后进行ICP刻蚀,刻蚀出N区;

3)在P-GaN上生长电流阻挡层和透明导电薄膜;

4)沉积一次电极;

5)生长钝化层,沉积温度200°C~250°C;

其中,钝化层经PECVD设备处理;

6)沉积一次DBR薄膜,薄膜由高、低折射率的材料交错堆叠;

7)刻蚀DBR,将一次电极露出,然后在DBR上面沉积部分金属电极与一次电极相连;

8)生长二次钝化层;

9)在二次钝化层上生长第二次DBR,第二次DBR要求与第一次DBR不同的膜系,也

是由高、低折射率的材料交错堆叠而成;

10)将二次DBR也刻到金属层,用金属层与三次电极相连。

2.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片的制作方法,其特征在于,所述步骤3)

中电流阻挡层为SiO

2

、MgO、Al

2

O

3

中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片的制作方法,其特征在于,所述步骤3)

中透明导电薄膜为掺杂的ZnO薄膜、掺杂的SnO

2

薄膜的一种或两种;

其中,掺杂的SnO

2

薄膜的成分为:In

2

O

3

和SnO

2

,质量比m

In

:m

Sn

=95:5。

4.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片的制作方法,其特征在于,所述步骤4)

中一次电极为Al或Au的多层结构。

5.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片的制作方法,其特征在于,所述步骤5)

中钝化层表面含有薄膜,薄膜的成分为SiO

2

、Al

2

O

3

、MgO、SiNx的一种或多种。

6.根据权利要求1所述的倒装发光二极管芯片的制作方法,其特征在于,所述步骤6)

中高折射率材料为TiO

2

、Ti

3

O

5

、HfO

2