一种电流均匀的LED芯片及其制作方法 .pdfVIP

(19)中华人民共和国国家知识产权局

(12)发明专利说明书

(10)申请公布号CN110246944A

(43)申请公布日2019.09.17

(21)申请号CN201910427367.4

(22)申请日2019.05.22

(71)申请人佛山市国星半导体技术有限公司

地址528200广东省佛山市南海区狮山镇罗村朗沙广东新光源产业基地内光明大道18

号

(72)发明人仇美懿庄家铭

(74)专利代理机构广州三环专利商标代理有限公司

代理人胡枫

(51)Int.CI

权利要求说明书说明书幅图

(54)发明名称

一种电流均匀的LED芯片及其制

作方法

(57)摘要

本发明公开了一种电流均匀的LED

芯片，包括衬底，设置在衬底上的外延

层，设置在外延层上的透明导电层、第一

电极和第二电极，以及设置在透明导电层

上导电薄膜层，所述导电薄膜层位于芯片

发光不均匀处，所述导电薄膜层由导电材

料制成，所述导电材料的电阻率为1*10

法律状态

法律状态公告日法律状态信息法律状态

权利要求说明书

1.一种电流均匀的LED芯片,其特征在于,包括衬底,设置在衬底上的外延层,设置在

外延层上的透明导电层、第一电极和第二电极,以及设置在透明导电层上导电薄膜

层,所述导电薄膜层位于芯片发光不均匀处,芯片发光不均匀处的亮度比芯片的整体

亮度低5%及以下,所述导电薄膜层由导电材料制成,所述导电材料的电阻率为1*10

-8

-3*10

-8

欧姆/米,且所述导电薄膜层的厚度小于500埃,透光率大于95%。

2.如权利要求1所述的电流均匀的LED芯片,其特征在于,芯片发光不均处位于芯片

的边缘区域。

3.如权利要求1所述的电流均匀的LED芯片,其特征在于,所述导电薄膜层的厚度小

于100埃;

所述导电材料由Au、Ag、Cu、Al、石墨烯、ITO、ZnO和AzO中的一种或几种组

成。

4.如权利要求3所述的电流均匀的LED芯片,其特征在于,所述导电材料由银和铝组

成,其中,铝和银的比例为(85:15)-(95:5)。

5.如权利要求1所述的电流均匀的LED芯片,其特征在于,所述导电薄膜层的截面形

状为圆形、方形、三角形、同心圆或不规则形。

6.一种电流均匀的LED芯片的制作方法,其特征在于,包括:

在衬底上形成外延层、透明导电层、第一电极和第二电极,得到LED晶圆;

采用微点亮点测方法测出LED晶圆发光不均匀处,芯片发光不均匀处的亮度比芯片

的整体亮度低5%及以下;

在透明导电层上形成导电薄膜层,所述导电薄膜层位于LED晶圆发光不均匀处,所述

导电薄膜层由导电材料制成,所述导电材料的电阻率为1*10

-8

-3*10

-8

欧姆/米,且所述导电薄膜层的厚度小于500埃,透光率大于90%。

7.如权利要求6所述的电流均匀的LED芯片的制作方法,其特征在于,在形成导电薄

膜层后,对LED晶圆进行退火,以将导电薄膜层渗入透明导电层中形成合金层,其中,

退火温度为300-600°C。

8.如权利要求6所述的电流均匀的LED芯片的制作方法,其特征在于,所述微点亮点

测方法包括:采用1uA、10uA、5mA的电流作为具体测试电流参数,采用20mA、

60mA、100mA、120mA、150mA的电流作为芯片使用电流,同时观察芯片的发光分

布,以测出芯片发光不均匀处。

9.如权利要求6所述的电流均匀的LED芯片的制作方法,其特征在于,所述导电材料

由银和铝组成,其中,铝和银的比例为(85:15)-(95:5)。

10.如权利要求9所述的电流均匀的LED芯片的制作方法,其特征在于,所述导电薄

膜层的厚度小于100埃。

说明书

p技术领