DB13T 6033-2024 半导体器件低浓度氢效应试验方法.docxVIP

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DB13T 6033-2024 半导体器件低浓度氢效应试验方法.docx

ICS

31.080

CCS

L40

13

河 北 省 地 方 标 准

DB13/T6033—2024

半导体器件低浓度氢效应试验方法

Testmethodoflowconcentrationhydrogeneffectinsemiconductordevices

2024-10-28发布 2024-11-28实施

河北省市场监督管理局 发布

DB13/T6033—2024

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前 言

本文件按照GB/T1.1—2020《标准化工作导则第1部分:标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。

本文件某些内容可能涉及专利。本文件的发布机构不承担识别专利的责任。本文件由中共河北省委军民融合发展委员会办公室提出。

本文件由中共河北省委军民融合标准化技术委员会(HeB/TC21)归口。

本文件起草单位:中国电子科技集团公司第十三研究所、河北北芯半导体科技有限公司、河北科技大学。

本文件主要起草人:高东阳、席善斌、彭浩、武利会、尹丽晶、宋玉玺、裴选、高若源、王伟、任红霞。

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