微束分析 扫描电子显微术 CD-SEM评定关键尺寸的方法 编制说明.docxVIP

《微束分析扫描电子显微术CD-SEM评定关键尺寸的方法》

（征求意见稿）

编制说明

一、工作简况

1.1任务来源

2023年12月1日，国家标准化管理委员会文件国标委发[2023]58号“《国家标准化管理委员会关于下达2023年第三批推荐性国家标准计划及相关标准外文版计划的通知》”下达了国家标准计划项目《微束分析扫描电子显微术CD-SEM评定关键尺寸的方法》的制定任务，计划编号为T-469，由中国科学技术大学牵头负责起草，制定周期16个月。

1.2参编单位及主要起草人工作情况

计划下达后，中国科学技术大学联合新疆师范大学、中科院合肥物质研究院、安徽大学成立标准编制工作小组，标准草案及相关文件由上述单位共同完成。

工作组主要成员：丁泽军、陆大宝、邹艳波、毛世峰、李永钢、李会民。具体分工如下：

丁泽军：工作组组长，主持全面协调工作，把控整体标准草案内容的准确性；陆大宝、邹艳波：负责采标对象的翻译及标准草案的起草和校准工作；

毛世峰、李永钢、李会民：参与标准草案的讨论和修改工作。

1.3标准编制过程

起草阶段：收到国家标准制定任务书后，牵头单位成立了项目起草小组，并在多次讨论研究后形成标准征求意见稿。在起草阶段充分考虑了术语及翻译的准确性。

二、标准编制原则和主要内容的确定依据

2.1国家标准编写原则

本标准按照GB/T1.1－2020《标准化工作导则第1部分：标准化文件的结构和起草规则》和GB/T1.2-2020《标准化工作导则第2部分：以ISO/IEC标准化文件为基础的标准化文件起草规则》给出的规定起草。

2.2标准编制背景

针对半导体器件关键尺寸（CD），目前人们已经发展了多种测量技术手段，

如光散射测量、原子力显微镜、透射电子显微镜和扫描电子显微镜，而测长扫描电镜（CD-SEM）是半导体工业生产中进行实时监控和线宽测量的最为简便和高效的方法。CD-SEM图像显示了结构的几何特征，但图像衬度并不能完美地表现结构的形貌。探测到的二次电子信号强度线扫描轮廓带有着关于样品形状和组成、束流大小和形状以及电子束-固体相互作用产生的信息量。因此，微米至纳米级线宽的CD-SEM图像的解析需要建立高精准算法。为此，基于国际上先进的MonteCarlo模拟方法，结合NIST研究团队提出的“模型数据库”（MBL）方法，

中国科学技术大学丁泽军团队提出并主导制定了CD-SEM线宽标定的ISO国际标准（ISO21466:2019），对半导体领域至为重要的关键尺寸测量方法进行规范。

目前国际上一些针对半导体关键尺寸的评估方法主要针对半导体基本元件的线剖面为梯形的结构，关键尺寸评估重点在于寻找梯形结构的顶部CD（TCD）、中间CD（MCD）和底部CD（BCD）：

1）阈值法：针对SEM线扫描轮廓曲线，首先找寻扫描曲线的左右最大值处，其之间的间距为TCD值；在轮廓外侧分别寻找最大强度50%的位置作为临界点，其间距为MCD的值；最小值之间的间距为BCD值。

2）最大导数法：对线扫描轮廓曲线进行求导操作，找到倾斜度最大的位置，即在峰的外侧（即离直线中心最远的那一半）的点上的边缘位置。由于导数倾向于放大噪声，在微分之前需对曲线数据进行平滑操作。通常，平滑度越高重复性越好，但过大的平滑窗口会扭曲峰值形状并改变测量偏差。

3）多参数法：指定4个任意阈值参数在线扫描轮廓分布曲线上计算出9个指标。该方法虽然可以通过测量值估计线宽图案的相对轮廓距离，但无法重建图案轮廓。

4）模型数据库方法：针对系列标准构件，使用MonteCarlo方法模拟计算获得实验条件下的线扫描轮廓曲线并建立数据库。待测构件的CD评估是通过实验测量获得待测构件的CD-SEM线扫描轮廓曲线，然后与数据库中的曲线对比寻找到最为符合的计算轮廓曲线，继而获得待测构件的对应的CD值。

上述这些方法中，（1）、（2）、（3）直接通过CD-SEM线扫描曲线的特

征（最大值、半高值、导数）来锁定CD评估的临界位置，这些方法对于CD较大（微米至亚微米）的构件评估较为合适。而当线宽低至数十纳米时，需要精确的考虑线宽边缘的二次电子增强发射造成的线扫描曲线极值位置的偏移，否则CD评估误差过大。方法（4）从理论上是最为精确的方法，但是构建数据库的过程需要极大的资源付出，包括标准构件的制备、CD-SEM线扫描曲线计算。

本采标标准中的方法，借鉴了MBL方法的思想，构建CD-SEM数据库时采用目前国际上最为先进的蒙特卡洛模拟方法，充分考虑入射电子与材料的相互作用的细