Danfoss丹佛斯Semikron Danfoss Application Note 24-001 Rev-01 SiC Power Modules EN 应用指南.pdf

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2024-12-17 发布于广东
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Danfoss丹佛斯Semikron Danfoss Application Note 24-001 Rev-01 SiC Power Modules EN 应用指南.pdf

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ApplicationNote

AN24-001

Revision:01

Issuedate:2024-01-30

Preparedby:DanielPrindle,PaulDrexhage

Approvedby:StefanH‰user

Keyword:SiC,siliconcarbide,MOSFET

SiliconCarbidePowerModules

1.Introduction2

2.StaticBehavior2

2.1Conductingstate2

2.2Blockingstate4

3.DynamicBehavior5

3.1MOSFETturn-on5

3.2MOSFETturn-off5

3.3Bodydiodeturn-off5

3.4Shortcircuitbehavior5

3.5Reversebiassafeoperatingarea(RBSOA)5

3.6Temperaturedependency5

4.GateDrivers6

4.1Gatevoltage6

4.1.1Measurement8

4.2Gateresistors8

4.3Gateinductance9

4.4Switchingfrequency9

4.5Shortcircuitdetection10

4.6Parasiticturn-on10

4.6.1Excessivenegativegatevoltage11

5.Losses11

5.1MOSFETonly(noexternaldiode)12

5.1.1Conductionlosses12

5.1.2Switchinglosses13

5.2MOSFET+externalSBD13

5.2.1Conductionlosses13

5.2.2Switchinglosses14

5.3Junctiontemperaturecalculation14

6.Reliability15

6.1Gateoxide15

6.2Powercycling15

6.3Humidity15

6.4Cosmicradiation16

6.5Bodydiode16

7.Datasheets16

7.1Absolutemaximumratings,MOSFETandintegratedbodydiode16

7.1.1MOSFET:continuousdraincurrent,I17

7.1.2MOSFET:peakvalueofpulseddraincurrent,IDM17

7.1.3MOSFET:gate-sourcevoltage,VGSS17

7.1.4MOSFET:maximumturn-ontimeduringshort-circuit,tpsc17

7.1.5Integratedbodydiode:peakvalueofpulsedforwardcurrent,ISM17

PROMGT.1023/Rev.12

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