《CMOS基本逻辑单元》课件.pptVIP

*****************课程目标了解CMOS技术学习CMOS基本逻辑单元掌握基本逻辑门电路的设计分析CMOS逻辑门电路的功耗掌握CMOS技术了解CMOS工艺流程掌握CMOS逻辑门电路的设计方法了解CMOS逻辑门电路的功耗优化策略CMOS技术简介CMOS技术是一种以金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）为基础的集成电路（IC）技术。CMOS技术具有低功耗、高集成度、高速度和高可靠性等优点，广泛应用于各种电子设备，如计算机、移动电话、平板电脑和传感器等。CMOS工艺流程1氧化在硅片表面生长一层薄薄的氧化层，作为绝缘层2光刻使用光刻技术将电路图案转移到氧化层上3刻蚀去除不需要的氧化层，露出硅片4掺杂向硅片中添加杂质，改变其导电性能5金属化在电路图案上镀上金属层，形成导电路径CMOS基本逻辑门电路基本逻辑门电路CMOS基本逻辑门电路是构成复杂数字电路的基本单元。例如，NOT门，AND门，OR门，XOR门等。功能这些门电路按照一定的逻辑规则执行运算，实现信息的传递和控制。应用它们广泛应用于各种电子设备，如计算机，手机，传感器等。NOT门NOT门是最基本的门电路之一，也称为反相器。它有一个输入和一个输出，输出信号与输入信号的逻辑值相反。当输入为高电平(逻辑1)时，输出为低电平(逻辑0)；反之，当输入为低电平(逻辑0)时，输出为高电平(逻辑1)。NOT门在数字电路中被广泛使用，例如信号反转、状态转换和控制逻辑。它是构建更复杂逻辑电路的基石。AND门基本结构AND门由两个PMOS管和两个NMOS管组成，输入信号控制两个PMOS管的导通和截止状态，输出端连接在两个NMOS管的源极。真值表AND门的真值表显示，只有当两个输入信号都为高电平（逻辑1）时，输出信号才为高电平。符号AND门的符号为一个圆形，其中有一个点，代表两个输入信号的“与”操作。OR门OR门是一种基本逻辑门电路，输出为高电平，当且仅当至少一个输入为高电平。CMOSOR门由两个PMOS管并联构成，两个NMOS管串联构成。当两个输入都为低电平时，PMOS管导通，NMOS管截止，输出为高电平。当任意一个输入为高电平时，对应的NMOS管导通，输出为高电平。NAND门NAND门结构NAND门是通过两个PMOS管串联和两个NMOS管并联实现的。真值表当两个输入都为高电平时，输出为低电平，否则输出为高电平。逻辑符号NAND门用一个倒置的AND符号表示，表示其输出与AND门的输出相反。NOR门NOR门是CMOS基本逻辑门电路的一种。它有两个或多个输入端，一个输出端。当所有输入端为高电平(逻辑1)时，输出端为低电平(逻辑0)。当有一个或多个输入端为低电平(逻辑0)时，输出端为高电平(逻辑1)。XOR门异或门是一种基本逻辑门电路，其输出仅当两个输入信号不同时才为高电平。当两个输入信号相同时，输出为低电平。异或门通常用符号“⊕”表示，也称为“模2加法器”。XNOR门XNOR门，又称异或非门，是逻辑电路中的一种基本逻辑门电路。XNOR门的功能是将两个输入信号进行异或运算，然后取反。当两个输入信号相同时，输出信号为高电平；当两个输入信号不同时，输出信号为低电平。基本逻辑门电路的传输特性CMOS逻辑门电路的传输特性是指输入电压与输出电压之间的关系，描述了门电路在不同输入电压下输出电压的变化情况。传输特性曲线可以直观地反映门电路的逻辑功能、噪声容限和工作范围等关键特性，为电路设计提供重要参考。MOSFET的基本电特性阈值电压阈值电压是指栅极电压达到一定值时，MOSFET导通所需的最小电压。导通电流导通电流是指当MOSFET导通时，流过沟道电流的大小，它与栅极电压、漏源电压以及沟道几何尺寸有关。输出特性输出特性描述的是MOSFET的漏极电流与漏源电压之间的关系。转移特性转移特性描述的是MOSFET的漏极电流与栅极电压之间的关系。MOSFET的静态特性阈值电压阈值电压是MOSFET从截止状态进入导通状态所需的栅极电压。漏极电流漏极电流是当MOSFET导通时，从漏极流向源极的电流，与栅极电压和漏源电压有关。导通电阻导通电阻是MOSFET处于导通状态时的漏极-源极之间的电阻，与栅极电压有关。漏极特性曲线漏极特性曲线描述了漏极电流随漏源电压的变化关系，反映了MOSFET的导通特性。MOSFET的动态特性11.开关速度开关速度受MOSFET的寄生电容影响，电容越大，开关速度越慢。22.延迟时间延迟时间是指从输入信号施加到输出信号达