Danfoss丹佛斯Semikron Danfoss Application Note 14-001 Rev-03 Unipolar driver voltage EN 应用指南.pdf

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2024-12-17 发布于广东
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Danfoss丹佛斯Semikron Danfoss Application Note 14-001 Rev-03 Unipolar driver voltage EN 应用指南.pdf

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ApplicationNote

AN14-001

Revision:03

Issuedate:2024-03-20

Preparedby:NiklasHofstˆtter

Approvedby:PeterBeckedahl

Keyword:IGBT,switch,turn,Miller,parasitic,unipolar,gate,supply,voltage,positive,negative

LimitsandHintshowtoTurnOffIGBTswith

UnipolarSupply

1.Introduction1

2.RisksinTurningOffIGBTswith0V1

2.1Parasiticinductances2

2.2EffectoftheMillercapacitance3

3.MeasurementswiththeMiniSKiiP24NAB12T4V15

3.1Comparativemeasurementsofthedynamicswitchingbehaviorwithbipolarandunipolargatedrive5

3.2Turn-Offoftheinversediode7

3.3Reductionoftheparasiticeffectswithadditionalgate-emittercapacitance9

3.4Influenceoftheexternalgate-emittercapacitanceontheswitchingLosses11

4.MeasurementsandSimulationwiththeMiniSKiiP39AC12T4V112

5.Conclusion14

1.Introduction

Equipmentmanufacturersinthefieldofpowerelectronicsattempttooffertheirproducts,suchaselectric

drives,invertersforsolarsystemsorUPSsinthemostcosteffectiveandspacesavingmanner.Forthis

reason,whendrivingmodulesinthelowpowerrange,theyoftenresorttodrivingthepowersemiconductors

with0V(unipolar),insteadoftheusualnegativeturn-offvoltagesuchas-8Vto-15V(bipolar).

ThisapplicationnoteistopointouttheproblemsandlimitationsofunipolardrivingofIGBTsandservesas

anaidtothecorrectoperationofunipolarcontrolledIGBTs.

2.RisksinTurningOffIGBTswith0V

UnipolarswitchingofIGBTs,incontrasttobipolarswitching,decreasesthegapbetweenthegateturn-off

voltageofthedriverandthethresholdvoltageVGE(th)oftheIGBT,atwhichitchangesintotheconductive

state.Typicaldatasheetvaluesforthethresholdvoltageareintherangeofabout

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