原创力文档- 1、本文档共5页，可阅读全部内容。
- 2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
查看更多
AO3414
20VN-ChannelMOSFET
GeneralDescriptionFeatures
TheAO3414usesadvancedtrenchtechnologytoVDS=20V
provideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandID=3A(VGS=4.5V)
operationwithgatevoltagesaslowas1.8V.ThisRDS(ON)62mW(VGS=4.5V)
deviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMRDS(ON)70mW(VGS=2.5V)
applications.RDS(ON)85mW(VGS=1.8V)
SOT23
D
TopViewBottomView
D
D
GG
S
S
GS
AbsoluteMaximumRatingsT=25°Cunlessotherwisenoted
A
ParameterSymbolMaximumUnits
Drain-SourceVoltageVDS20V
Gate-SourceVoltageVGS±8V
ContinuousDrainT=25°C3
A
CurrentAT=70°CI2.5A
AD
B
PulsedDrainCurrentIDM16
文档评论（0）