集成电路技术集成电路技术综合练习试卷(练习题库)(2023版).pdfVIP

集成电路技术集成电路技术综合练习试卷（练习

题库）

1、什么叫半导体集成电路？

2、按照半导体集成电路的集成度来分，分为哪些类型，请同时写出它们对

应的英文缩写。

3、按照器件类型分，半导体集成电路分为哪几类？

4、按电路功能或信号类型分，半导体集成电路分为哪几类？

5、什么是特征尺寸？它对集成电路工艺有何影响？

6、简述四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用。

7、在制作晶体管的时候，衬底材料电阻率的选取对器件有何影响是？

8、简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤。

9、简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤。

10、以P阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些不足？

11、以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点？并请提出改进方法。

12、简述集成双极晶体管的有源寄生效应在其各工作区能否忽略？

13、什么是集成双极晶体管的无源寄生效应？

14、什么是MOS晶体管的有源寄生效应？

15、什么是MOS晶体管的闩锁效应，其对晶体管有什么影响？

16、如何解决MOS器件的场区寄生MOSFET效应？

17、如何解决MOS器件中的寄生双极晶体管效应？

18、双极性集成电路中最常用的电阻器和MOS集成电路中常用的电阻都有哪

些？

19、集成电路中常用的电容有哪些？

20、为什么基区薄层电阻需要修正？

21、为什么新的工艺中要用铜布线取代铝布线？

22、电压传输特性

23、开门电平

24、关门电平

25、逻辑摆幅

26、静态功耗

27、在四管标准与非门中，那个管子会对瞬态特性影响最大，并分析原因以及

带来那些困难。

28、两管与非门有哪些缺点，四管及五管与非门的结构相对于两管与非门在那

些地方做了改善，并分析改善部分是如何

29、相对于五管与非门六管与非门的结构在那些部分作了改善，分析改进部分

是如何工作的？

30、四管与非门中，如果高电平过低，低电平过高，分析其原因，如与改善方

法，请说出你的想法。

31、为什么TT1与非门不能直接并联。

32、OC门在结构上作了什么改进,它为什么不会出现TT1与非门并联的问题？

33、什么是器件的亚阈值特性，对器件有什么影响？

34、MOS晶体管的短沟道效应是指什么，其对晶体管有什么影响？

35、请以PMOS晶体管为例解释什么是衬偏效应，并解释其对PMOS晶体管阈值

电压和漏源电流的影响。

36、什么是沟道长度调制效应，对器件有什么影响？

37、为什么MOS晶体管会存在饱和区和非饱和区之分（不考虑沟道调制效

应）？

38、采用MOSFET作为nM0S反相器的负载器件有哪些优点？

39、耗尽型负载nMOS反相器相比于增强型负载nMOS反相器有哪些好处？

40、举例说明什么是有比反相器和无比反相器。

41、简述CMOS静态逻辑门功耗的构成。

42、降低电路的功耗有哪些方法？

43、简述动态组合逻辑电路中存在的常见的三种问题，以及他们产生的原因

和解决的方法。

44、解释静态存储和动态存储的区别和优缺点比较。

45、阐述静态存储和动态存储的不同的的存储方法。

46、哪一年在哪儿发明了晶体管？发明人哪一年获得了诺贝尔奖？

47、世界上第一片集成电路是哪一年在哪儿制造出来的？发明人哪一年为此

获得诺贝尔奖？

48、什么是晶圆？晶圆的材料是什么？

49、目前主流集成电路设计特征尺寸已经达到多少？预计2023年能实现量

产的特征尺寸是多少？

50、晶圆的度量单位是什么？当前主流晶圆的尺寸是多少？

51、摩尔是哪个公司的创始人？什么是摩尔定律？

52、什么是SoC?英文全拼是什么？

53、一套掩模一般只能生产多少个晶圆？

54、什么是有生产线集成电路设计？

55、什么是集成电路的一体化（IDM）实现模式？

56、什么是集成电路的无生产线（Fab1eSS）设计模式？

57、一个工艺设计文件（PDK）包含哪些内容？

58、设计单位拿到PDK文件后要做什么工作？

59、什么叫“流片”？

60、什么叫多项目晶圆（MPW）?MPW英文全拼是什么？

61、集成电路设计需要哪些知识范围？

62、对于通信和信息学科，所包括的系统有哪些？

63、RFIC›MMIC和M3IC是何含义？

64、著名的集成电路分